Forschergruppe Siliziumkarbid
an der Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg

Aktuell:

Externer Link: Fraunhofer IISB, Rundgespräch Siliziumkarbid Rundgespräch Siliziumkarbid

SiC als Halbleitermaterial: Alternative Wege in Züchtung und Dotierung

Sprecher

Dotierter SiC-Einkristall

Kristallstruktur von p-dotiertem SiC

Prof. Dr. Lothar Ley
Institut für Technische Physik II
Erwin-Rommel-Straße 1
91058 Erlangen
Tel.: 09131 85-27090
Fax: 09131 85-27889

Beteiligte Lehrstühle:

  1. Institut für Technische Physik, Externer Link: Lehrstuhl für Experimentalphysik Lehrstuhl für Experimentalphysik
  2. Institut für Technische Physik, Externer Link: Lehrstuhl für Theoretische Festkörperphysik Lehrstuhl für Theoretische Festkörperphysik
  3. Institut für Angewandte Physik, Externer Link: Lehrstuhl für Angewandte Physik Lehrstuhl für Angewandte Physik
  4. Institut für Angewandte Physik, Externer Link: Lehrstuhl für Kristallographie und Strukturphysik Lehrstuhl für Kristallographie und Strukturphysik
  5. Institut für Werkstoffwissenschaften, Externer Link: Lehrstuhl Werkstoffe der Elektrotechnik Lehrstuhl Werkstoffe der Elektrotechnik
  6. Institut für Werkstoffwissenschaften, Externer Link: Lehrstuhl für Mikrocharakterisierung Lehrstuhl für Mikrocharakterisierung
  7. Institut für Elektrotechnik, Elektronik und Informationstechnik, Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente

Zusammenfassung:

Siliziumkarbid (SiC) ist ein Halbleitermaterial mit einem erheblichen Anwendungspotential, da es physikalische und chemische Eigenschaften besitzt, die es in vielen Bereichen dem etablierten Silizium überlegen macht. Ein Anwendungsfeld liegt in der Leistungselektronik, wo der generelle Einsatz von SiC anstatt Silizium zu Einsparungen von mehreren Prozent des Gesamtstromverbrauchs führen wird. An der Realisation dieses Potentials arbeiten daher führende Industrieunternehmen weltweit, und sie werden in vielen Ländern durch langfristig angelegte, nationale Forschungsprogramme unterstützt. Unter dem Zwang zum wirtschaftlichen Erfolg werden dabei fast ausschließlich etablierte Verfahren der Kristallzucht und der Halbleitertechnologie verfolgt. Die hier vorgestellte Forschergruppe soll daher alternative Verfahren zur Kristallzucht und zur Prozessierung von SiC im Hinblick auf elektronische Anwendungen verfolgen. In Anbetracht der Tatsache, daß SiC ein vergleichsweise „junges“ Material ist, sehen die Antragsteller in dieser Forschung abseits des „mainstream“ ein reiches und erfolgversprechendes Betätigungsfeld, das in dieser konsequenten Ausrichtung weder in Deutschland noch sonst einem Land bearbeitet wird.

Teilprojekte:

  1. Kristallzüchtung von SiC nach dem M-PVT Verfahren (e)
  2. Herstellung von polytypreinen defektarmen SiC-Volumenkristallen aus der flüssigen Phase (e)
  3. Alternative Wege in der SiC-Sublimationszüchtung und Kodotierung mit Donatoren (c)
  4. Untersuchung von p-dotierten Schichten zur Bauelementeisolation (g)
  5. Theorie der Dotierung von SiC: Fremdatome und intrinsische Defekte (b)
  6. Charakterisierung von Defekten in SiC-Kristallen durch Röntgenbeugung (d)
  7. Realstruktur und Wachstumsmechanismen von SiC-Einkristallen (f)
  8. Charakterisierung des SiC-Kristallwachstums durch Mikro-Ramanspektroskopie (a)

Power-Point-Präsentationen zum Herunterladen:

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Letzte Änderung: 08.04.2011 - 13:29 Uhr GMT +1
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