Ausbreitungswiderstandsmessungen auf Germanium
Diplomarbeit
Bearbeitungsstatus:
offen
Betreuer:
- Dr.-Ing. Jochen Kaiser
- Prof. Dr. rer. nat. Lothar Frey
- Prof. Dr.-Ing. Heiner Ryssel
Beschreibung
Diplomarbeit
für EEI / Mechatronik / Physik
Die niedrige Beweglichkeit von Löchern in Silicium und die Ablösung von Siliciumdioxid als Gatedielektrikum durch hoch-epsilon-Schichten führt zu einem wachsenden Interesse an Germanium aufgrund seiner höheren Beweglichkeit als Material für MOS-Transistoren im Gatebereich. Als Standarddotiertechnik ist die Beherrschbarkeit und Vorhersagbarkeit von Implantationen in Germanium dabei von zentraler Bedeutung.
Die Messung des Ausbreitungswiderstandes (engl. Spreading-Resistance) ist eines der wichtigsten Standardmessverfahren, um implantierte Profile in Silicium zu untersuchen. Es besteht daher der Wunsch die Messmethode des Ausbreitungswiderstandes auch bei Germanium einzusetzen.
Ziel der Arbeit ist die Herstellung von Standards für die Messung des Ausbreitungswiderstandes auf Germanium, die Messung von Profilen implantierter Proben sowie der Vergleich mit Silicium hinsichtlich der Anwendbarkeit des Messverfahrens.