Defektcharakterisierung in implantierten 4H-SiC-Epitaxieschichten
Studien-/ Diplom- /Bachelor- /Masterarbeit
Bearbeitungsstatus:
offen
Betreuer:
- Prof. Dr. rer. nat. Lothar Frey
- Dipl.-Ing. Andreas Hürner
Beschreibung
Studienarbeit // Bacholerarbeit // Projektarbeit
Siliciumcarbid eignet sich aufgrund seiner elektrischen Eigenschaften hervorragend als Substratmaterial für hochleistungsfähige Halbleiterbauelemente. Zu deren Realisierung werden heutzutage mehrere zeitaufwendig zu prozessierende Epitaxieschichten benötigt. Eine Möglichkeit Herstellungszeit- und kosten zu sparen, wäre diese teilweise durch Ionenimplantation zu ersetzen. Jedoch verbleiben nach einer Implantation immer auch Defekte im implantierten Gebiet, die sich insbesondere in kürzeren Minoritätsladungsträgerlebensdauern auswirken. So entstehen beispielsweise bei der Stickstoffimplantation in 4H-SiC-Schichten sogenannte Z1/2 -Defekte, die aufgrund ihres großen Einfangquerschnitts für Elektronen und Löcher die Lebensdauer erheblich reduzieren. In unimplantierten Epitaxieschichten wurde bereits gezeigt, dass sich durch eine oberflächennahe Kohlenstoffimplantation und Ausheilen bei 1800°C die Konzentration dieser Defekte deutlich reduzieren lässt. Es soll daher untersucht werden, ob auch bei der Implantation entstandene Defekte durch eine oberflächennahe Kohlenstoffimplantation vermindert werden können.
Umfang der Arbeit
-Charakterisierung der Defekte an unprozessierten und prozessierten Siliciumcarbid-Schichten mittels Deep-Level-Transient-Spektroskopie (DLTS)
-Bestimmung der Minoritätsladungsträgerlebensdauer elektrischer (CRT, OCVD) Messmethoden
-Bewertung der Defektreduzierung mittels Kohlenstoffimplantation