Untersuchung nasschemischer Reinigungs- und Ätzverfahren in Germaniumprozessen
Studien- /Projektarbeit
Bearbeitungsstatus:
offen
Betreuer:
- Dr.-Ing. Jochen Kaiser
- Dr.-Ing. Tobias Dirnecker
- Prof. Dr. rer. nat. Lothar Frey
Beschreibung
Studien-, Projekt-, Bachelorarbeit für EEI, Mechatronik
Die niedrige Beweglichkeit von Löchern in Silicium und die Ablösung von Siliciumdioxid als Gatedielektrikum durch hoch-epsilon-Schichten führen zu einem wachsenden Interesse an Germanium aufgrund seiner höheren Beweglichkeit als Material für MOS-Transistoren im Gatebereich. Das Verständnis nasschemischer Reinigungs- und Ätzschritte ist dabei für germaniumbasierte Halbleiterprozesse essentiell wichtig.
Während der Arbeit sollen verschiedene Reinigungs- und Ätzverfahren untersucht und charakterisiert werden. Es sollen dotierungsabhängige Ätzraten ermittelt und mit Literaturwerten verglichen werden. Der Einfluss von Reinigungsverfahren auf Material-, Grenzflächen und Bauelementeeigenschaften soll untersucht werden.