Nanoelektronik
Allgemein
Dozent(en)
- Prof. Dr. rer. nat. Lothar Frey
- Dr.-Ing. Michael Jank
Sommersemester 2013
Semester
- NT-MA: 2. Semester
- EEI-BA-MIK: 5.-6. Semester
- EEI-MA-MIK: 1.-4. Semester
SWS
- 2 SWS
Zeit und Ort
- wöchentlich montags von 14:15 bis 15:45, Hans Georg Waeber Saal
Hinweis
am 16.04. im Seminarsaal II (neben Hans-Georg-Waeber-Saal)
Beschreibung
1. Skalierung von MOS Transitoren:
Einsatzspannungs-Absenkung, „Subthreshold Slope"
Band-Band Tunneln, „Drain Induced Barrier Lowering",
Beweglichkeitsdegradation,
Tunnelströme,
Gateverarmung,
Dotierstofffluktuationen,
Zuverlässigkeit
2. Neue Architekturen und Materialien für Nano-MOS-Bauelemente:
Hoch epsilon Dielektrika,
„Metal Gate" Elektroden,
„Strained Silicon", SiGe, GeOI,
FinFET, TriGate Transistoren,
Nanowire Strukturen (Si-Nanotubes, Carbon Nanotubes),
Vertikale MOS Strukturen,
Schottky MOS
3. Erzeugung kleinster Strukturen:
Optische Lithographie für sub-50 nm,
EUV Lithographie,
Elektronenstrahl- und Ionenstrahllithogarphie,
Druck und Prägetechniken,
Selbstorganisation
4. Bauelemente der nichtflüchtigen Datenspeicherung:
Ladungsspeicherung in Dielektrika und Nanokristallen (Flash EPROM),
Multibit Zellen,
Ferroelektrische Speicherzellen,
Widerstandsprogrammierbare Zellen (MRAM, PCM, spannungs-programmierbare Zellen)
5. Bauelemente mit einzelnen Elektronen:
Single Electron Device,
Resonantes Tunneln,
Schaltbare Moleküle
6. Prinzipielle Grenzen:
Quantenmechanische Grenze,
Thermische Grenze,
Statistische Grenze
UnivIS