Technologie integrierter Schaltungen
Allgemein
Dozent(en)
- Prof. Dr. rer. nat. Lothar Frey
- Übung: Marina Scharin, M. Eng.
Wintersemester 2012
Semester
- EEI-BA-MIK: 5.-6. Semester
- EEI-MA-MIK: 1.-4. Semester
- INF-NF-EEI: 5. Semester
- ME-DH-VF13: 5.-7. Semester
- ME-DH-VF11: 5.-10. Semester
- ME-BA-MG12: 3.-6. Semester
- ME-MA-MG12: 1.-3. Semester
- ME-BA-MG11: 3.-6. Semester
- ME-MA-MG11: 1.-3. Semester
- NT-MA: ab 1. Semester
SWS
- 3 SWS
Zeit und Ort
- wöchentlich montags von 10:15 bis 12:30, Hans Georg Waeber Saal
Wintersemester 2013
Semester
- EEI-BA-MIK: 5.-6. Semester
- EEI-MA-MIK: 1.-4. Semester
- INF-NF-EEI: 5. Semester
- ME-BA-MG4: 3.-6. Semester
- ME-MA-MG4: 1.-3. Semester
- NT-MA: ab 1. Semester
SWS
- 3 SWS
Zeit und Ort
- wöchentlich montags von 10:15 bis 12:30, Hans Georg Waeber Saal
Beschreibung
Thema der Vorlesung sind die wesentlichen Technologieschritte zur Herstellung elektronischer Halbleiterbauelemente
und integrierter Schaltungen. Der erste Teil der Vorlesung beginnt mit der Herstellung von einkristallinen Siliciumkristallen. Anschließend werden die
physikalischen Grundlagen der Oxidation, der Dotierungsverfahren Diffusion und Ionenimplantation sowie der
chemischen Gasphasenabscheidung von dünnen Schichten behandelt. Ergänzend dazu werden Ausschnitte aus
Prozessabläufen, wie sie heute bei der Herstellung von hochintegrierten Schaltungen wie Mikroprozessoren oder
Speicher verwendet werden, dargestellt und anhand von Bauelementen (Kondensator, Diode und Transistor) wichtige
Prozessparameter und Bauelementeeigenschaften erläutert.
Weitere Informationen
Siehe Plattform
StudOn
UnivIS