Liste der am LEB abgeschlossenen Dissertationen

Name Thema / Titel Tag der Promotion
C. Banzhaf Entwicklung und Charakterisierung von Trench-Gate-Strukturen für 4H-SiC Leistungs-MOSFETs 22.02.2016
S. Polster Nanopartikuläre ZnO-Schichten für Dünnschichttransistoren 18.01.2016
J. Jambreck Entwicklung und Herstellung von neuartigen Sonden für die elektrische und optische Rastersondenmikroskopie 03.12.2015
H. Rauh Energie effiziente Klimatisierungssysteme für Elektrofahrzeuge mit integrierten Antriebskomponenten 02.12.2015
V. Schneider Nitridgebundenes Siliziumnitrid: Wiederverwendbare Tiegel für die gerichtete Erstarrung von Silizium 24.07.2015
V. Uhnevionak Simulation and Modeling of Silicon-Carbide Devices 10.03.2015
R. Fader Substratkonforme Imprintlithographie für optische Anwendungen 10.11.2014
T. Behrens Kupfer-Metallisierung für Siliciumcarbid-Leistungshalbleiter zur Steigerung der Lebensdauer 21.10.2014
J. Huang Zinc Oxide Thin Film Transistors by Radio Frequency Magnetron Sputtering 20.10.2014
M. Niedermeier ASIC Based Galvanically Isolated Driver Circuit for the Use in Power Converters for Photovoltaic Applications 15.10.2014
V. Agudelo Compact Mask Models for Optical Projection Lithography 19.09.2014
C. Strenger Herstellung und Charakterisierung von Metall-Oxid-Halbleiter-Kondensatoren und Feldeffekttransistoren auf 4H-Siliciumcarbid 26.06.2014
A. Wolf Modellierung von Ausheilprozessen für ionenimplantierte einkristalline Siliziumsolarzellen 17.06.2014
M. Trempa Gerichtete Erstarrung von einkristallinen Siliciumkristallen nach dem VGF-Verfahren für die Anwendung in der Photovoltaik 10.12.2013
M. Azizi Eisenverunreinigungen in multikristallinem Silizium: Gerichtete Erstarrung und Analyse der strukturellen und elektrischen Eigenschaften 30.10.2013
T. Gumprecht Entwicklung von Verfahren für die reflektometrische Schichtdickenmessung und Materialcharakterisierung von dielektrischen Schichten im Vakuum-UV-Bereich bis 120 nm Wellenlänge 30.09.2013
T. Fühner Künstliche Evolution für die Optimierung von lithographischen Prozessbedingungen 24.09.2013
J. Laven Untersuchung und Modellierung von Dotierungsprofilen in Silicium erzeugt durch hochenergetische Protonenimplantationen 11.09.2013
M. Koitzsch Thermisches Laserstrahlseparieren spröder Werkstoffe – Optimierung von Rissinitiierung und Rissausbreitung am Beispiel von Silicium 05.08.2013
W. Weinreich Herstellung und Charakterisierung ultradünner ZrO2-basierter Schichten als Isolatoren in Metall-Isolator-Metall Kondensatoren 14.01.2013
W. Daves Silicon Carbide Field-Effect Transistor (FET) Transducers for Harsh Environment Applications 21.11.2012
G. Roll Leakage Current and Defect Characterization of Short Channel MOSFETs 10.09.2012
M. Hofmann Charakterisierung eines mechatronisch integrierten Achs-Antriebssystems für Hybrid- und Elektrofahrzeuge 04.09.2012
J. Kaiser Beiträge zur Herstellung von MOSFETs in Germaniumschichten 06.06.2012
F. Shao Die Wellenleiterlösungsmethode für elektromagnetische Felder und ihre Erweiterung und Anwendung auf die Lithographiesimulation 29.11.2011
H. Schwarzmann Piezoelektrische Transformatoren zur Ansteuerung von Leistungsschaltern 28.11.2011
M. Pfeffer Simulationsgestützte Untersuchung von logistischen Optimierungsstrategien bei Halbleiterfertigungsprozessen 25.11.2011
M. Le-Huu Entwicklung und Charakterisierung von integrierten Schaltungen auf Siliciumcarbid für den Betrieb bei hohen Temperaturen 21.11.2011
J. vom Dorp Monolithisches RC-Element für leistungselektronische Anwendungen 09.08.2011
S. Walther ZnO Dünnfilmtransistoren für druckbare Elektronik 29.07.2011
M. Groß Hochvolt MOS-Transistoren (50V) mit integrierter Temperaturüberwachung zur Realisierung mit einem 0,18µm CMOS-Prozess 15.06.2011
M. Schellenberger Modulares Steuerungskonzept für integrierte Messtechnik in der Halbleiterfertigung am Beispiel einer Mehrkammerprozessanlage 06.06.2011
M. Knörr Verbinden von Leistungshalbleiterbauelementen durch Sintern von nanoskaligen Silberpartikeln 31.05.2011
S. Egelkraut Charakterisierung und Applikation weichmagnetisch gefüllter Kunststoffe für induktive Komponenten leistungselektronischer Baugruppen 01.04.2011
Z. Rahimi Die Finite Integrationstechnik (FIT) und die Anwendung in der Lithographie-Simulation 08.03.2011
S. Zeltner Untersuchungen zu isolierenden verlustarmen kompakten Ansteuerschaltungen mit integrierter Regelung des Laststromes 14.01.2011
D. Kunder 3D Simulation des Zerstäubungsätzens mittels der Monte-Carlo Methode 16.12.2010
C. Kampen Untersuchung von CMOS Architekturen mit Gatelängen kleiner 50 nm mittels numerischer Simulationen 03.12.2010
A. Fet Austrittsarbeitskontrolle für Metall/Hoch-E MOS Stapel 03.11.2010
M. Grieb Charakterisierung von Metall-Oxid-Halbleiter-Strukturen auf der Silicium- und Kohlenstoffseite von 4H-Siliciumcarbid 06.08.2010
B. Eckardt Gleichspannungswandler hoher Leistungsdichte im Antriebsstrang von Kraftfahrzeugen 02.08.2010
P. B. Meliorisz Simulation der Nahfeldbelichtung 14.07.2010
M. Lemberger Chemische Gasphasenabscheidung von Metallsilicatschichten aus Einquellen-Ausgangsstoffen für Anwendungen in der Mikroelektronik 09.02.2010
J. Hinz Abscheidung und Charakterisierung metallischer Gateelektroden für zukünftige CMOS-Technologien 18.01.2010
O. Klar Charakterisierung und Modellierung von Ladungseinfangmechanismen in dielektrischen Speicherschichten 06.04.2009
H. Schmitt Untersuchung der UV-Nanoimprint-Lithografie als Strukturierungsverfahren für elektronische Bauelemente 06.11.2008
V. Lorentz Bidirektionale DC-Spannungswandlung für Kleinleistungsanwendungen 27.10.2008
G. Roeder Entwicklung von Verfahren zur Kontrolle von Plasmaätzprozessen mittels in situ-Ellipsometrie und optischer Emissionsspektroskopie 28.07.2008
T. Erlbacher Schichten hoher Dielektrizitätskonstante für den Einsatz in ladungsbasierten nichtflüchtigen Speicherzellen 27.05.2008
T. Schnattinger Mesoskopische Simulation der Photolackbearbeitung in der optischen Lithographie 23.11.2007
M. Rommel Photostrom-Spektroskopie von Silicium im Volumen und an der Grenzfläche zu Siliciumdioxid 28.09.2007
M. Rambach Untersuchung von Ausheilverfahren für Aluminium-implantierte Schichten in 4H-Siliciumcarbid 18.05.2007
M. Jank Entwicklung und Charakterisierung eines CMOS-Prozesses mit minimierter Anzahl an Lithographieebenen 05.12.2006
S. Kistler Dreidimensionale Topographiesimulation der ionisierten Metallplasma-Abscheidung in der Halbleitertechnologie 31.07.2006
B. Tollkühn Neue Methoden zur automatischen Kalibrierung von Modellparametern für die Simulation optischer Lithographieprozesse 05.05.2006
T. Dirnecker Untersuchung von Aufladungseffekten bei der Ionenimplantation 31.01.2006
V. Häublein Kontaminationsprozesse in der Ionenimplantation 08.12.2005
C. Lehrer Effekte bei der Nanostrukturierung mittels fokussierter Ionenstrahlen 19.11.2005
A. Weidner Strukturbreitenbestimmung für die sub 100nm-Lithographie mittels spektralellipsometrischer Beugungsmessung 31.10.2005
S. Berberich Entwicklung, Herstellung und Charakterisierung von integrierbaren Leistungsbauelementen und einer Trench-Gate Technologie 25.07.2005
T. Leistner Charakterisierung von Titandioxidschichten abgeschieden aus neuentwickelten Precursoren mittels MOCVD 10.05.2005
M. Beichele Optimierung der Stickstoffkonzentrationen in Gatedielektrika und -elektroden für fortschrittliche CMOS-Technologien 12.10.2004
R. Weiß Herstellung, Untersuchung und Modellierung von Schottky-Dioden mit ionenimplantierter Randfeldbegrenzung auf Siliciumcarbid 17.03.2004
N. Benesch Entwicklung eines integrierbaren optischen Meßsystems zur Kontrolle der Linienbreiten periodischer sub-Mikrometerstrukturen 30.05.2003
O. Lenhart Algorithmen für die dreiecksbasierte dreidimensionale Simulation bewegter Oberflächen in der Halbleitertechnologie 15.10.2002
R. Schnupp Rückseitenkontaktierte Kohlenstoff-Interdigitalelektroden für bioelektronische Anwendungen 15.10.2002
D. Stiebel Modellierung von transienten Effekten bei der Diffusion von Bor in Silicium 31.05.2002
O. Krause Entwicklung eines Modelles zur Diffusion von Aluminium in Silicium 30.04.2002
R. Kühnhold Entwurf und Herstellung von integrierten ionensensitiven Feldeffekttransistoren in CMOS-Technologie 18.04.2002
H. Boubekeur Contamination Aspects in Integrating High Dielectric Constant and Ferroelectric Materials into CMOS Processes 05.03.2002
F. Quast Untersuchung von Punktdefekten in Silicium mit Hilfe der Platindiffusion 11.06.2001
P.-K. Shin Entwicklung von Alkaliionen- und pH-sensitiven Schichten für den Einsatz in ionensensitiven Feldeffekttransistoren 20.12.2000
J. Lorenz Diskretisierung und Gittergeneration für die mehrdimensionale Simulation von Implantation und Diffusion 28.04.2000
F. Qian Development of an Ultraviolet Photodetector and a Compact Ozone Absorption Photometer 26.01.2000
R. Omidi Polysilicon Piezoresistive Pressure Sensor for the Simultaneous Wind Velocity and Direction Measurement 25.10.1999
R. Stief Dotierung von 4H-SiC durch Ionenimplantation 04.10.1999
K. Tietzel Dreidimensionale analytische Simulation der Ionenimplantation 01.10.1999
M. Treu Stabilität von Metall-Oxid-Halbleiter-Strukturen auf hexagonalem Siliciumkarbid 16.07.1999
S. Poscher Simulation von widerstands- und lampenbeheizten Öfen für die Schichtabscheidung 21.05.1999
J. Thomas Mikrosystemtechnische Vibrationssensoren zur automatisierten Zustandsüberwachung von Drehwerkzeugen 08.04.1999
H. Roth Elektrische Eigenschaften von MOCVD-Tantalpentoxid in Mehrschicht-Dielektrika 26.02.1999
W. Ghanem Development and Characterization of a Sensor for Human Information: A Contribution to Innovative House Technique 04.02.1999
E. Bär Dreidimensionale Simulation von Schichtabscheideprozessen in der Halbleitertechnologie 13.02.1998
S. Lipp Untersuchung von Ätz- und Abscheideprozessen im fokussierten Ionenstrahl 21.11.1997
R. Berger Entwicklung eines Prozeßkontrollsystems für einen Vertikalofen mit integrierter ellipsometrischer in situ- und in-line-Schichtdickenmessung 14.07.1997
R. Öchsner Modifikation der Oberflächeneigenschaften von Polymeren durch Ionenimplantation 19.03.1997
S. List Atomistische Beschreibung der Diffusion von Dotieratomen und Gitterleerstellen in Silicium 11.03.1997
P. Friedrichs Herstellung und Charakterisierung von Metall-Isolator-Halbleiterstrukturen auf hexagonalem Siliciumkarbid 28.02.1997
M. Jakob Untersuchung des Einflusses von Gitterleerstellen auf die Sauerstoffpräzipitation in Silicium mit Hilfe der Platindiffusion 29.11.1996
T. Mikolajick Feldeffektsensoren zu pH-Wert-Messung und als Transducer für Biosensoren 18.10.1996
R. Wiget Herstellung und Charakterisierung von gebondeten pn- und SOS-Strukturen und Realisierung von Leistungsdioden auf gebondeten n+n-- Siliciumschichten 09.07.1996
R. Paneva Mikromechanisch hergestellter Zerstäuber für kleine Flüssigkeitsmengen 28.06.1996
A. Barthel Simulation von Implantationsprofilen mit Methoden der Transporttheorie 14.05.1996
W. Aderhold Einfluß von Metallkontamination auf die Qualität von Gateoxiden 21.12.1995
N. Streckfuß Charakterisierung von Siliciumoberflächen mittel Röntgenfluoreszenzanalyse unter Totalreflexionsbedingungen 17.08.1995
T. Falter Tiefenabhängige Messung von Diffusionslängen mit dem Photostrom-Meßverfahren Elymat 23.02.1995
A. Bauer Schnelle thermische Prozessierung und Charakterisierung dünner nitridierter Oxide 13.02.1995
R. Wierzbicki Analytische Beschreibung der Implantation von Ionen in Ein- und Mehrschichtstrukturen 03.02.1994
W.-C. Jung Reichweiteverteilung hochenergetischer Ionen in Silicium 21.01.1994
L. Gong Untersuchung und Charakterisierung von ein- und zweidimensionalen Implantationsprofilen in einkristallinem Silicium 15.10.1993
N. Rausch Chemische Gasphasenabscheidung und Charakterisierung von Tantalpentoxid-Schichten 30.07.1993
R. Schork Untersuchung der Eigenschaften von vergrabenen isolierenden Schichten für die MOS-Technologie 23.12.1992
G. Temmel Der Einsatz von in-situ-Meßtechnik zur Automatisierung des Belackungs- und Entwicklungsprozesses 27.11.1992
C. Dehm Einfluß des Herstellungsverfahrens auf die Kontakteigenschaften von Cobalt- und Titansilicidschichten 20.11.1992
H. Wille Topographie und Kantenbedeckung von abgeschiedenen Schichten am Beispiel des Siliziumdioxids 28.09.1992
T. Fehn Entwurf und numerische Analyse von Halbleiterstrukturen für den Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) 23.03.1992
C. Schneider Entwicklung eines in situ-Meß- und Regelsystems für Halbleiterfertigungsprozesse am Beispiel der thermischen Oxidation von Silizium 20.02.1992
K. Schott Simulation der lokalen Oxidation von Silizium unter Berücksichtigung viskoelastischen Verhaltens des Oxids 16.09.1991
N. Holzer Untersuchung des Ausheilverhaltens und der Diffusion von Aluminium in Silicium nach der Vorbelegung durch Ionenimplantation 24.06.1991
R. Dürr Beschreibung der Dualen Diffusion von Dotieratomen in Silicium für die Anwendung in der Prozeßsimulation 07.05.1991
H. Zimmermann Messung und Modellierung von Gold- und Platinprofilen in Silicium 16.04.1991
K. Langguth Implantation von Sauerstoff- und Aluminiumionen zur Verbesserung der Verschleißbeständigkeit von Stählen 01.02.1991
Th. Stockmeier Passivierung von Leistungsbauelementen mit sauerstoff­dotierten polykristallinen Siliziumschichten 24.09.1990
A. Seidl Zweidimensionale Simulation der lokalen Oxidation von Silizium 23.02.1989

Insgesamt 114 Dissertationen

Nach oben



Letzte Änderung: 08.04.2011 - 12:55 Uhr GMT +1
Fragen zu dieser Seite richten Sie bitte an: webmaster@leb.eei.uni-erlangen.de