Prof. Dr.-Ing. Heiner Ryssel


Name:Prof. Dr.-Ing. Heiner Ryssel
ehem. Lehrstuhlinhaber (im Ruhestand)
Postanschrift:Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente

Cauerstr. 6
91058 Erlangen
Telefonnummer:09131/761-109
Fax:09131/85-28698
E-Mail:heiner.ryssel@leb.eei.uni-erlangen.de

Lehrveranstaltungen

Wissenschaftliche Schwerpunkte

  • CMOS-Technologie
  • Halbleiterfertigungsgeräte
  • Ionenimplantation
  • elektronische Bauelemente
  • Sensorik

Betreute Arbeiten

2012

2011

2010

2009

2008

2007

2006

2005

2004

2003

2002

2001

1999

1998

1997

1996

1995

1994
  • Entwicklung und Realisierung eines hochauflösenden Kamerasystems, das zur Bidlaufnahme bei Specleinterferometrischen Messungen sowie in weiteren wissenschaftlichen Meßaufbauten eingesetzt werden soll
1993

1991

1990

1988

1987

Publikationen

2013

2012

2011

2010

2009

2008

2007

2006

2005

2004

2003

2002
  • »Cell Adhesion on Modified Polyethylene«, Journal of Materials Science 37 (6), 1183 (2002)
  • »Characterisation of BaxSr1 xTiO3 Films Using Spectroscopic Ellipsometry, Rutherfo¬rd Backscattering Spectrometry and X Ray Diffraction«, Journal of Non Crystalline Solids 303 (1), 179-184 (2002)
  • »Determination of Aluminum Diffusion Parameters in Silicon«, Journal of Applied Physics, accepted for publication (2002)
  • »Development of Enhanced Depth-resolution Technique for Shallow Dopant Profiles«, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research 1-4, 26 (2002)
  • »Effect of Barium Contamination on Gate Oxide Integrity in High-k DRAM«, Journal of Non-Crystalline Solids 303, 12 (2002)
  • »HandMon ISPM: Handling Monitoring in a Loading Station of a Furnace«, 13th Annual IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference and Workshop 2002, Boston, Massachusetts, 113 (2002)
  • »Influence of Photoresist Pattern on Charging Damage During High Current Ion Implantation«, 7th Int. Symp. On Plasma & Process Induced Damage, Maui, Hawaii, USA, 106-109 (2002)
  • »MOCVD of titanium dioxid on the basis of new precursors«, Journal of non-crystalline solids 303, 64-68 (2002)
  • »Phi Scatterometry for Integrated Linewidth and Process Control in DRAM Manufacturing«, IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing 15 (4), 470 (2002)
  • »Platinum Contamination Issues in Ferroelectric Memories«, J. Appl. Phys. 92, 3257 (2002)
  • »Recombination Lifetimes of Iron-contaminated Silicon Wafers: Characterization through a Single Set of Capture Cross sections«, Solid State Phenomena 82-84, 373 (2002)
  • »Simulation of the Influence of Via Sidewall Tapering on Step Coverage of Sputter deposited Barrier Layers«, Microelectronic Engineering 64 (1-4), 321-328 (2002)
2001

2000

1999

Nach oben



Diese Seite wird täglich automatisch aktualisiert. Die Informationen werden aus dem Externer Link: UnivIS UnivIS generiert.
Fragen zu dieser Seite richten Sie bitte an: webmaster@leb.eei.uni-erlangen.de