Prof. Dr. rer. nat. Lothar Frey
| Name: | Prof. Dr. rer. nat. Lothar Frey
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| Postanschrift: | Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
Cauerstr. 6
91058 Erlangen |
| Zimmer: | 1.122 |
| Telefonnummer: | 09131/85-28633 |
| Fax: | 09131/85-28698 |
| E-Mail: | lothar.frey@leb.eei.uni-erlangen.de |
| Sprechstunde: | wöchentlich dienstags 9:00 - 10:00
1.122
Bitte bei Sekretariat (1.121) anmelden.
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Lehrveranstaltungen
Betreute Arbeiten
2013
2012
2011
- Aufbau eines Schülerexperiments zum Thema Solarzellen
- Aufbau von Simulationsmodellen für die thermische Simulation von Reflowlötprozessen
- Charakterisierung der elektrischen und mechanischen Eigenschaften von Plasma-Dust-Cu-Schichten
- Charakterisierung eines PECVD-Prozesses zur Herstellung von Siliciumdioxidschichten
- Charakterisierung eines Siliziumkarbid Sperrschichtfeldeffekttransistors
- Charakterisierung und Validierung eines 4H- SiC Bipolartransistors der Firma TranSiC
- Entwicklung einer automatisierten Sprüheinrichtung
- Entwicklung einer Steuer- und Regelelektronik für ein Batterieladegerät
- Entwicklung einer Steuerung und Regelung für ein Ladegerät für Elektrofahrzeuge
- Entwicklung eines Batterie-Management-Systems für die Lithium-Eisen-Phosphat Batteriezellen eines Hybrid-Fahrzeugs auf einer dSpace-Micro-Autobox mit Matlab/Simulink
- Entwicklung eines Fahrzeug-Management-Systems für Elektrofahrzeuge
- Entwicklung eines Konzeptes zur energieeffizienten Klimatisierung von Elektrofahrzeugen
- Erstellung eines Simulationsmodells der Fahrgastzelle zur Klimatisierung von Elektrofahrzeugen
- Evaluation neuartiger Sinterpasten für die Aufbau- und Verbindungstechnik in der Leistungselektronik
- Flüssigphasenprozessierte ZnO-Halbleiterschichten aus molekularen Präkursoren
- Gerätesimulation basierend auf einer parametrisierten RTP-Reaktorgeometrie und Validierung ausgewählter Parameter
- Herstellung großflächiger PDMS-Stempel für die substratkonforme Imprintlithographie (SCIL)
- Herstellung und Charakterisierung von Aluminiumoxidschichten mittels Atomlagenabscheidung bei Temperaturen kleiner 150°C
- Implementierung eines Algorithmus zur Bestimmung des State of Charge (SOC) von Li-Ionen Batteriesystemen in automobilen Anwendungen
- Integration von Testmessungen an Halbleiterbauelementen mit einem mobilen Messplatz in eine Lehr-/Übungseinheit
- Kathodenzerstäubung von Gallium-Indium-Zinkoxid variabler Stöchiometrie für den Einsatz in Dünnfilmtransistoren
- Konstruktion und thermische Untersuchung eines Energiespeichers für ein Elektrofahrzeug
- Modellierung eines monolithisch integrierten RC-Snubbers für ein leistungselektronisches System zur Optimierung des EMV-Verhaltens
- Modifikation eines Spreading-Resistance-Messplatzes zur Bestimmung von Widerstandskonzentrationsprofilen über die Point-Contact-Current-Voltage-Methode
- Prozessentwicklung Hafnium-basierter Dielektrika mittels plasma-unterstützter Atomlagenabscheidung
- Simulative Analyse konvektiver Entwärmungsvorgänge in E-Maschinen für Hybrid- und Elektroautos
- Studie zur Monolithischen Integration von Spulen für leistungselektronische Anwendungen
- Systemintegration einer Antriebseinheit in ein Elektrofahrzeug
- Thermische Stabilität dielektrischer Schichten auf Germanium
- Untersuchung der elektrischen Eigenschaften von Korngrenzen in multikristallinem Silicium mittels elektrischer Messungen am AFM
- Untersuchung einer adaptiven Regelung für mehrphasige DC/DC-wandler und Implementierung in einem FPGA
- Untersuchung und Optimierung des Schaltverhaltens von Leistungsendstufen für Antriebsumrichter
- Untersuchung zur Erfassung hochdynamischer Schaltvorgänge bei modernen Leistungshalbleitern
- Untersuchungen zur Effizienz der in-situ Dotierung nasschemisch gezüchteter ZnO Nanopartikel anhnad von Feldeffekttransistoren
- Untersuchungen zur Schaltanomalie eines Trench-IGBT
- Vergleich unterschiedlicher Verfahren zur Bestimmung der Impedanz bzw. des Innenwiderstandes von Lithium-Ionen-Batterien zur Bestimmung des Alterungszustandes
2010
2009
2002
1999
1997
1996
1995
1994
1993
1992
Publikationen
2013
2012
2011
2010
2009
2008
2007
2006
2005
- »Additional Peaks in Mass Spectra Due to Charge Exchange Events and Dissociation of Molecular Ions During Extraction«, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 237, 346-350 (2005)
- »Aluminium Nitride Thin Films for a Micromechanical Ultrasonic Liquid Nebulizer«, SENSORS AND MICROSYSTEMS, Singapore (2005)
- »Annealing of Aluminium Implanted 4H-SiC: Comparison of Furnace and Lamp Annealing«, Proceedings of ECSCRM, Materials Science Forum, 483 (2005)
- »Characterization of Interface State Densities by Photocurrent Analysis: Comparison of Results for Different Insulator Layers«, Microelectronic Engineering 80, 50-53 (2005)
- »Characterization of Interface State Denisties by Photocurrent Analysis: Comparison of Results for Different Insulator Layers«, Poster Presentation, Conference on Insulating Fillms on Semiconductors (INFOS) 2005, Leuven, Belgium (2005)
- »Chemische Dampfphasenabscheidung von neuen Materialien für Sub-50-nm-Transistoren«, Chemie Ingenieur Technik 77, 1215 (2005)
- »Electrical properties of hafnium silicate films obtained form a single-source MOCVD precursor«, Microelectronics Reliability, 819 (2005)
- »High-k Hafnium Silicate Films on Silicon and Germanium Wafers by MOCVD Using a Single-Source Precursor«, 9, 873 (2005)
- »Implantation and Annealing of Aluminium in 4H Silicon Carbide«, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 237, 68-71 (2005)
- »Investigations into the Wear of a WL10 Ion Source«, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 237, 341-345 (2005)
- »Nanoelectronics at the Fraunhofer IISB and the University in Erlangen«, Poster for the "First International Nanotechnology Conference on Communication & Cooperation" (INC 1), San Francisco, CA, USA (2005)
- »Nanotechnology in the Fraunhofer Microelectronics Alliance (VµE)«, Poster for the "First International Nanotechnology Conference on Communication & Cooperation" (INC 1), San Francisco, CA, USA (2005)
- »Stempel für Mikrochips«, Zukunft im Brennpunkt, Arbeitsgemeinschaft der Bayerischen Forschungsverbünde (abayfor) 4/2005, 75 (2005)
- »Thin HfxTiySizO Films with Varying Hf to Ti Contents as Candidates for High-k Dielecrics«, 5/2005, 125 (2005)
- »Triple Trench Gate IGBTs«, Proceedings of the 17th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD) 2005, 251-254 (2005)
- »Triple Trench Gate IGBTs«, 17th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD), Santa Barbara, CA, USA (2005)
- »Wafer Scale Characterization of Interface State Densities Without Test Structures by Photocurrent Analysis«, Electrochemical Society Proceedings, 10, 113 (2005)
- »Wafer Scale Characterization of Interface State Densities Without Test Structures by Photocurrent Analysis«, DECON 2005, "Crystalline Defects and Contamination: Their Impact and Control in Device Manufacturing IV", Grenoble, France (2005)
2004
2003
2002
2001
2000
1999
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