Prof. Dr. rer. nat. Lothar Frey


Name:Prof. Dr. rer. nat. Lothar Frey
Postal address:Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente

Cauerstr. 6
91058 Erlangen
Room:1.122
Phone number:09131/85-28633
Fax number:09131/85-28698
E-mail:lothar.frey@leb.eei.uni-erlangen.de
Office hours:weekly on tuesday 9:00 - 10:00

1.122

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Courses / Lectures

Supervised theses

2013

2012
  • Analyse des Oxidationsverhaltens einer Keramik und deren Benetzbarkeit durch Silizium
  • Überwachung von Li-Ionen Akkumulatoren mittels Gassensoren
  • Aufbau und Inbetriebnahme eines Leistungsteils zur Untersuchung der Leistungsskalierbarkeit und des Betriebsverhaltens von Antriebsumrichtern mit verteiltem Zwischenkreiskondensator
  • Aufbau, Inbetriebnahme und Automatisierung eines Messplatzes zur Aufnahme von Impedanzspektroskopie-Kennlinien
  • Bestandsaufnahme und Evaluierung von Einsparungspotentialen am Beispiel eines Institutsgebäudes
  • Can controller implementation on FPGA
  • Dynamisches Abschaltverhalten von schnell schaltenden 600V pin-Dioden
  • Einfluss von Cäsium auf das Metall-Oxid-Halbleiter-System auf 4H-Siliciumcarbid
  • Einfluss von Phosphor- und Stickstoff auf das Metall-Oxid-Halbleiter-System auf 4H-Siliciumcarbid
  • Entwicklung einer schnellen Strommesswerterfassung und modellgestützter Signalaufbereitung in einem FPGA
  • Entwicklung eines Algorithmus für einen Testaufbau zur Fehlererkennung
  • Entwicklung eines DC/DC-Wandlers für ein Brennstoffzellensystem
  • Entwicklung eines effizienten Präprozessors zur Definition der Streckenvorgabe für Verbrauchs- und Fahrdynamiksimulationen
  • Entwicklung eines EMV- Filters zur Anbindung von elektrisch betriebenen Fahrzeugen an das Niederspannungs-Versorgungsnetz
  • Entwicklung eines Fahrzeug-Management-Systems für ein bateriebetriebenes Elektrofahrzeug
  • Entwicklung eines induktiv aufladbaren Retrofit Akkusystems für konventionelle Hörgeräte
  • Entwicklung eines Multi-Kanal-Protokolls für die Integration eines Android Systems in ein Elektrofahrzeug
  • Entwicklung und Aufbau einer Leistungsendstufe für einen bidirektionalen Traktions DC/DC Wandler
  • Entwicklung und Aufbau einer Leistungsendstufe mit direkt gekühlten Leistungsschaltern für einen Traktions-Wandler
  • Entwicklung und Inbetriebnahme eines Batterieüberwachungssystems
  • Entwurf und Entwicklung der Betriebssoftware einer Messplatine für verschiedene Mess- und Regelaufgaben im Hybrid-Fahrzeug
  • Entwurf und Implementierung einer Betriebssoftware für TriCore-basierte Steuergeräte im Antriebsstrang
  • Erstellung eines Simulationsmodells für Gleichspannungswandler
  • Evaluierung von Niedertemperatur-Oberflächenpassivierungsverfahren für die Messung von Ladungsträgerlebensdauern von Silicium für die Photovoltaik
  • Experimentelle Untersuchung des Einflusses unterschiedlicher Kristallorientierung und Dotierstoffkonzentrationen dünner Silicium-Scheiben auf das thermische Laserstrahl-Separieren
  • Großflächige Herstellung von Strukturen zur denierten Einkopplung und Auskopplung elektromagnetischer Strahlung
  • Herstellung und Untersuchung einer Tiegelbeschichtung für die gerichtete Erstarrung von Silizium
  • Konzeptionierung und Konstruktion eines Moduls mit Lithium-Ionen Zellen
  • Lasersintern nanopartikulärer ZnO Schichten für den Einsatz als aktive Schicht in Dünnfilmtransistoren
  • Modellierung von Interferenz- und Talbot-Lithographie
  • Modellierung, Simulation und Optimierung des Chemikalienflusses eines Anlagenprototypens zum nasschemischen Ätzen von Kupfer
  • Niedertemperaturkontkat auf n-dotiertem 4H-SiC
  • Signal conditioning electronics for distributed battery monitoring in electric and hybrid vehicles
  • Simulation gekoppelter Gleichspannungsnetze
  • Simulation und Regelung von Drehfeldmaschinen mit sinus- und blockförmiger Bestromung
  • Strukturelle und elektrische Charakterisierung von multikristallinen String Ribbon Silizium für die Photovoltaik
  • Surface Reconstruction from Makyoh Data for the Determination of Nanotopography on Semiconductor Wafers
  • Tiefenaufgelöste Messung von Ausbreitungswiderständen in p-dot. Galliumnitrid zur Kontrolle von Aktivierungsprozessen
  • Topologieuntersuchungen zur energieeffizienten Klimatisierung von Elektrofahrzeugen
  • Untersuchung der Einsatzgrenzen von SiC-Leistungsbauelementen im hartschaltenden Betrieb
  • Untersuchung der Kontaktbildung auf n- bzw. p-dotiertem 4H-SiC
  • Untersuchung und Aufbau von POL (Point Of Load) DC/DC-Wandlern zum Einsatz in der Konsumelektronik.
  • Untersuchung und Optimierung von Prozessen zur Herstellung von Siliciumdioxidschichten an einer Mikrowellen-Plasmaoxidationsanlage
  • Untersuchung von Maßnahmen zur Rissstabilisierung bei Anwendung des Thermischen Laser-Separierens für die Trennung kristalliner Silicium-Scheiben
  • Untersuchungen zu einer störsicheren Schnittstelle für Ansteuerschaltungen
  • Untersuchungen zu gedruckten Temperatursensoren
2011

2010

2009

2002

1999

1997

1996

1995

1994

1993

1992

Publications

2013

2012

2011

2010

2009

2008

2007

2006

2005
  • »Additional Peaks in Mass Spectra Due to Charge Exchange Events and Dissociation of Molecular Ions During Extraction«, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 237, 346-350 (2005)
  • »Aluminium Nitride Thin Films for a Micromechanical Ultrasonic Liquid Nebulizer«, SENSORS AND MICROSYSTEMS, Singapore (2005)
  • »Annealing of Aluminium Implanted 4H-SiC: Comparison of Furnace and Lamp Annealing«, Proceedings of ECSCRM, Materials Science Forum, 483 (2005)
  • »Characterization of Interface State Densities by Photocurrent Analysis: Comparison of Results for Different Insulator Layers«, Microelectronic Engineering 80, 50-53 (2005)
  • »Characterization of Interface State Denisties by Photocurrent Analysis: Comparison of Results for Different Insulator Layers«, Poster Presentation, Conference on Insulating Fillms on Semiconductors (INFOS) 2005, Leuven, Belgium (2005)
  • »Chemische Dampfphasenabscheidung von neuen Materialien für Sub-50-nm-Transistoren«, Chemie Ingenieur Technik 77, 1215 (2005)
  • »Electrical properties of hafnium silicate films obtained form a single-source MOCVD precursor«, Microelectronics Reliability, 819 (2005)
  • »High-k Hafnium Silicate Films on Silicon and Germanium Wafers by MOCVD Using a Single-Source Precursor«, 9, 873 (2005)
  • »Implantation and Annealing of Aluminium in 4H Silicon Carbide«, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 237, 68-71 (2005)
  • »Investigations into the Wear of a WL10 Ion Source«, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 237, 341-345 (2005)
  • »Nanoelectronics at the Fraunhofer IISB and the University in Erlangen«, Poster for the "First International Nanotechnology Conference on Communication & Cooperation" (INC 1), San Francisco, CA, USA (2005)
  • »Nanotechnology in the Fraunhofer Microelectronics Alliance (VµE)«, Poster for the "First International Nanotechnology Conference on Communication & Cooperation" (INC 1), San Francisco, CA, USA (2005)
  • »Stempel für Mikrochips«, Zukunft im Brennpunkt, Arbeitsgemeinschaft der Bayerischen Forschungsverbünde (abayfor) 4/2005, 75 (2005)
  • »Thin HfxTiySizO Films with Varying Hf to Ti Contents as Candidates for High-k Dielecrics«, 5/2005, 125 (2005)
  • »Triple Trench Gate IGBTs«, Proceedings of the 17th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD) 2005, 251-254 (2005)
  • »Triple Trench Gate IGBTs«, 17th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD), Santa Barbara, CA, USA (2005)
  • »Wafer Scale Characterization of Interface State Densities Without Test Structures by Photocurrent Analysis«, Electrochemical Society Proceedings, 10, 113 (2005)
  • »Wafer Scale Characterization of Interface State Densities Without Test Structures by Photocurrent Analysis«, DECON 2005, "Crystalline Defects and Contamination: Their Impact and Control in Device Manufacturing IV", Grenoble, France (2005)
2004

2003

2002

2001

2000

1999

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