Prof. Dr.-Ing. Heiner Ryssel


Name:Prof. Dr.-Ing. Heiner Ryssel
ehem. Lehrstuhlinhaber (im Ruhestand)
Postanschrift:Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente

Cauerstr. 6
91058 Erlangen
Telefonnummer:09131/761-109
Fax:09131/85-28698
E-Mail:heiner.ryssel@leb.eei.uni-erlangen.de

Lehrveranstaltungen

Wissenschaftliche Schwerpunkte

  • CMOS-Technologie
  • Halbleiterfertigungsgeräte
  • Ionenimplantation
  • elektronische Bauelemente
  • Sensorik

Betreute Arbeiten

2012

2011

2010

2009

2008

2007

2006

2005

2004

2003

2002

2001

1999

1998

1997

1996

1995

1994

1993

1991

1990

1988

1987

Publikationen

2013

2012

2011

2010

2009

2008

2007

2006
  • »Active Fuse«, 2006 IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's, Neapel, Italy, 1-4 (2006)
  • »Approach for a Standardized Methodology for Multi-site Processing of 300mm Wafers at R&D-Sites«, International Symposium on Semiconductor Manufacturing, Tokyo, - (2006)
  • »Automobilelektronik am LEB und IISB«, Daimler-Chrysler (2006)
  • »Bavarian Research Cooperation for Nanoeletronics«, 2. FORNEL-Workshop (FORNEL: The Bavarian Research Cooperation for Nanoelectronics), Würzburg (2006)
  • »Creation of E-Learning Content for Microelectronics Manufacturing«, Interactive Computer Aided Learning Conference, Villack, Austria, - (2006)
  • »Creation of E-Learning Content for Microelectronics Manufacturing«, 12th IFAC Symposium on Information Control Problems in Manufacturing, Saint-Etienne, France, - (2006)
  • »Extracting Activation and Compensation Ratio from Aluminium Implanted 4H-SiC by Modeling of Resistivity Measurements«, 527-529, 827-830 (2006)
  • »German High-Tech-Corridor in Nanoelectronics Technology Research«, Posterpresentation at International Nanotechnology Conference on Communications and Cooperations, Arlington (2006)
  • »HfSiO/SiO2- and SiO2/HfSiO/SiO2-Gate Stacks for non-volatile memories«, Workshop on Dielectrics in Microelectronics (WODIM 2006), Santa Tecla (Catania, Italien) (2006)
  • »High Temperature Implantation of Aluminium in 4H Silicon Carbide«, 16th International Conference on Ion Implantation Technology (IIT 2006), Marseille, 287 (2006)
  • »Lösen neue Materialien die Probleme der Mikro- und Nanoelektronik«, VDE Kongress 2006 Aachen, 431 (2006)
  • »Neue Methoden zur automatischen Kalibrierung von Modellparametern für die Simulation optischer Lithographieprozesse«, (2006)
  • »Quantitative Oxide Charge Determination by Photocurrent Analysis«, Workshop on Dielectrics in Microelectronics (WoDiM 2006), Catania, Italien (2006)
  • »The Impact of Mass Resolution on Molybdenum Contamination for B, P, BF2 and As Implantations«, 16th International Conference on Ion Implantation Technology, Marseille ()France, 464 (2006)
  • »Untersuchung von Aufladungseffekten bei der Ionenimplantation«, 2, 130 (2006)
  • »Well Design in a Bulk CMOS Technology with Low Mask Count«, 2006 16th International Conference on Ion Implantation Technology, Marseille, 121-124 (2006)
2005

2004

2003

2002

2001

2000

1999

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