Prof. Dr.-Ing. Heiner Ryssel
| Name: | Prof. Dr.-Ing. Heiner Ryssel
ehem. Lehrstuhlinhaber (im Ruhestand) |
| Postanschrift: | Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
Cauerstr. 6
91058 Erlangen |
| Telefonnummer: | 09131/761-109 |
| Fax: | 09131/85-28698 |
| E-Mail: | heiner.ryssel@leb.eei.uni-erlangen.de |
Lehrveranstaltungen
Wissenschaftliche Schwerpunkte
- CMOS-Technologie
- Halbleiterfertigungsgeräte
- Ionenimplantation
- elektronische Bauelemente
- Sensorik
Betreute Arbeiten
2012
2011
2010
2009
2008
2007
2006
2005
- Description and Implementation of a Pulse Pattern Generator in VHDL for the Control of a Bidirectional Insulation DC/DC Converter
- Entwicklung eines 1 kVA Low-Cost-Frequenzumrichters mit aktiver PFC zur Integration in einen Waschmaschinenmotor
- High resolution electrical characterization of high-k layers using atomic force microscopy
- Regelungstechnische Charakterisierung und Optimierung von bidirektionalen DC/DC-Wandlern für Brennstoffzellenfahrzeuge
- Untersuchungen zum anisotropen und isotropen Leitkleben von aktiven und passiven Komponenten
2004
2003
2002
2001
1999
1998
1997
1996
1995
1994
1993
1991
1990
1988
1987
Publikationen
2013
2012
2011
2010
2009
2008
2007
2006
- »Active Fuse«, 2006 IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's, Neapel, Italy, 1-4 (2006)
- »Approach for a Standardized Methodology for Multi-site Processing of 300mm Wafers at R&D-Sites«, International Symposium on Semiconductor Manufacturing, Tokyo, - (2006)
- »Automobilelektronik am LEB und IISB«, Daimler-Chrysler (2006)
- »Bavarian Research Cooperation for Nanoeletronics«, 2. FORNEL-Workshop (FORNEL: The Bavarian Research Cooperation for Nanoelectronics), Würzburg (2006)
- »Creation of E-Learning Content for Microelectronics Manufacturing«, Interactive Computer Aided Learning Conference, Villack, Austria, - (2006)
- »Creation of E-Learning Content for Microelectronics Manufacturing«, 12th IFAC Symposium on Information Control Problems in Manufacturing, Saint-Etienne, France, - (2006)
- »Extracting Activation and Compensation Ratio from Aluminium Implanted 4H-SiC by Modeling of Resistivity Measurements«, 527-529, 827-830 (2006)
- »German High-Tech-Corridor in Nanoelectronics Technology Research«, Posterpresentation at International Nanotechnology Conference on Communications and Cooperations, Arlington (2006)
- »HfSiO/SiO2- and SiO2/HfSiO/SiO2-Gate Stacks for non-volatile memories«, Workshop on Dielectrics in Microelectronics (WODIM 2006), Santa Tecla (Catania, Italien) (2006)
- »High Temperature Implantation of Aluminium in 4H Silicon Carbide«, 16th International Conference on Ion Implantation Technology (IIT 2006), Marseille, 287 (2006)
- »Lösen neue Materialien die Probleme der Mikro- und Nanoelektronik«, VDE Kongress 2006 Aachen, 431 (2006)
- »Neue Methoden zur automatischen Kalibrierung von Modellparametern für die Simulation optischer Lithographieprozesse«, (2006)
- »Quantitative Oxide Charge Determination by Photocurrent Analysis«, Workshop on Dielectrics in Microelectronics (WoDiM 2006), Catania, Italien (2006)
- »The Impact of Mass Resolution on Molybdenum Contamination for B, P, BF2 and As Implantations«, 16th International Conference on Ion Implantation Technology, Marseille ()France, 464 (2006)
- »Untersuchung von Aufladungseffekten bei der Ionenimplantation«, 2, 130 (2006)
- »Well Design in a Bulk CMOS Technology with Low Mask Count«, 2006 16th International Conference on Ion Implantation Technology, Marseille, 121-124 (2006)
2005
2004
2003
2002
2001
2000
1999
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