Prof. Dr.-Ing. Heiner Ryssel


Name:Prof. Dr.-Ing. Heiner Ryssel
ehem. Lehrstuhlinhaber (im Ruhestand)
Postanschrift:Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente

Cauerstr. 6
91058 Erlangen
Telefonnummer:09131/761-109
Fax:09131/85-28698
E-Mail:heiner.ryssel@leb.eei.uni-erlangen.de

Lehrveranstaltungen

Wissenschaftliche Schwerpunkte

  • CMOS-Technologie
  • Halbleiterfertigungsgeräte
  • Ionenimplantation
  • elektronische Bauelemente
  • Sensorik

Betreute Arbeiten

2012

2011

2010

2009

2008

2007
  • Auslegung der elektrischen Antriebseinheit für ein Hybridfahrzeug
  • Bestimmung der Leitungsmechanismen in Silicium-Nanopartikel-Netzwerken
  • Entwicklung einer intelligenten Messeinschubkarte für einen modular aufgebauten aktiven Lastwechseltester
  • Entwicklung einer Software für die U/f-Steuerung eines Elektromotors
  • Entwicklung eines piezoelektrischen Transformators zur Versorgung von MOS/IGBT High Side Schaltern
  • Entwicklung von Simulationsmodellen für die Komponenten im Antriebstrang eines Brennstoffzellenfahrzeugs
  • Geschichte der Halbleiterelektronik
  • Hafniumsilikat als Steueroxid in nichtflüchtigen Speicherzellen
  • HF-technische Charakterisierung von SiC-JFETs und deren Untersuchung in einem Gegentaktoszillator
  • Inbetriebnahme eines Prototypgerätes zur Charakterisierung von Isolator/Silicium-Strukturen mittels eines Photostromverfahrens
  • Optimierung, Erweiterung und Test eines Solarzellenmessplatzes
  • Thermische Impedanz von Leistungshalbleiter-Bauelementen
  • Untersuchungen zum Sintern von Ag-Nanopulver als Verbindungstechnik in der Leistungselektronik
  • Untersuchungen zum Umspritzen von elektronischen Komponenten hoher Wärmekapazität mit thermisch leitfähig gefüllten Kunststoffen
  • Untersuchungen zur Herstellung metallischer Gateelektroden mittels MOCVD und deren elektrische Charakterisierung
  • Wickelsysteme - Marktübersicht und Trendanalyse
2006

2005

2004

2003

2002

2001

1999

1998

1997

1996

1995

1994

1993

1991

1990

1988

1987

Publikationen

2013

2012

2011

2010

2009

2008

2007
  • »Characterization of the impurity profile at the SiO2/Si interface using a combination of total reflection X-ray fluorescence spectrometry and successive etching of silicon,«, Spectrochimica Acta Part B: Atomic Spectroscopy 62, 481-484 (2007)
  • »Characterization of the Pile-Up of As at the SiO2 / Si Interface«, 37th European Solid-State Device Research Conference - ESSDERC 2007, München (2007)
  • »Characterization of the Pile-Up of As at the SiO2/Si Interface«, 37th European Solid-State Device Research Conference - ESSDERC 2007, München, 267 (2007)
  • »Characterization of the Segregation of Arsenic at the Interface SiO2/Si«, 2007 MRS Spring Meeting, Symposium F "Semiconductor Defect Engineering-Materials, Synthetic Structures, and Devices II", San Francisco, CA, USA (2007)
  • »Characterization of the Segregation of Arsenic at the Interface SiO2/Si«, Semiconductor Defect Engineering - Materials, Synthetic Structures and Devices II, Warrendale 994, 0994-F08-02 (2007)
  • »Custom-specific UV nanoimprint templates and life-time of antisticking layers«, Posterpräsentation auf der MNE 2007, Kopenhagen, Dänemark (2007)
  • »Detailed Photocurrent Analysis of Iron Contaminated Boron Doped Silicon by Comparison of Simulation and Measurement«, ECS Transactions 10, 117 (2007)
  • »Hafnium silicate as control oxide in non-volatile memories«, Microelectronic Engineering 84, 2239-2242 (2007)
  • »Hafnium silicate as control oxide in non-volatile memories«, Conference on Insulating Films on Semiconductors, Athen (2007)
  • »High Temperature Implantation of Aluminum in 4H Silicon Carbide«, Materials Science Forum 556-557, 587 (2007)
  • »MOCVD of Hafnium Silicate Films Obtained from a Single-Source Precusor on Silicon and Germanium for Gate-Dielectric Applications«, Chemical Vapor Deposition 13, 105-111 (2007)
  • »MOCVD of tantalum nitride thin films from TBTEMT single source precursor as metal electrodes in CMOS applications«, Surface and Coatings Technology 201, 9154-9158 (2007)
  • »Motorintegrierte Leistungselektronik: Strukturflexibel mechatronisch integrierbare passive elektronische Bauelemente«, Industriekolloquium Sonderforschungsbereich 694,, Erlangen (2007)
  • »Quantitative oxide charge determination by photocurrent analysis«, Microelectronics Reliability 47, 673-677 (2007)
  • »Self-Aligned Growth of Organometallic Layers for Non-Volatile Memory Application«, European Congress on Advanced Materials and Processes 2007, Nürnberg (2007)
  • »Silicon Technology«, 6th Indo-German Winter Academy 2007, Guwahati, Indien (2007)
  • »Synthesis of functional nanoparticles«, International Congress on Particle Technology (PARTEC 2007), Nürnberg (2007)
  • »UV nanoimprint materials: Surface energies, residual layers, and imprint quality«, Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 25, 785-790 (2007)
2006

2005

2004

2003

2002

2001

2000

1999

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