Prof. Dr. rer. nat. Lothar Frey


Name:Prof. Dr. rer. nat. Lothar Frey
Postanschrift:Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente

Cauerstr. 6
91058 Erlangen
Zimmer:1.122
Telefonnummer:09131/85-28633
Fax:09131/85-28698
E-Mail:lothar.frey@leb.eei.uni-erlangen.de
Sprechstunde:wöchentlich dienstags 9:00 - 10:00

1.122

Bitte bei Sekretariat (1.121) anmelden.

Lehrveranstaltungen

Betreute Arbeiten

2013

2012
  • Analyse des Oxidationsverhaltens einer Keramik und deren Benetzbarkeit durch Silizium
  • Überwachung von Li-Ionen Akkumulatoren mittels Gassensoren
  • Aufbau und Inbetriebnahme eines Leistungsteils zur Untersuchung der Leistungsskalierbarkeit und des Betriebsverhaltens von Antriebsumrichtern mit verteiltem Zwischenkreiskondensator
  • Aufbau, Inbetriebnahme und Automatisierung eines Messplatzes zur Aufnahme von Impedanzspektroskopie-Kennlinien
  • Bestandsaufnahme und Evaluierung von Einsparungspotentialen am Beispiel eines Institutsgebäudes
  • Can controller implementation on FPGA
  • Dynamisches Abschaltverhalten von schnell schaltenden 600V pin-Dioden
  • Einfluss von Cäsium auf das Metall-Oxid-Halbleiter-System auf 4H-Siliciumcarbid
  • Einfluss von Phosphor- und Stickstoff auf das Metall-Oxid-Halbleiter-System auf 4H-Siliciumcarbid
  • Entwicklung einer schnellen Strommesswerterfassung und modellgestützter Signalaufbereitung in einem FPGA
  • Entwicklung eines Algorithmus für einen Testaufbau zur Fehlererkennung
  • Entwicklung eines DC/DC-Wandlers für ein Brennstoffzellensystem
  • Entwicklung eines effizienten Präprozessors zur Definition der Streckenvorgabe für Verbrauchs- und Fahrdynamiksimulationen
  • Entwicklung eines EMV- Filters zur Anbindung von elektrisch betriebenen Fahrzeugen an das Niederspannungs-Versorgungsnetz
  • Entwicklung eines Fahrzeug-Management-Systems für ein bateriebetriebenes Elektrofahrzeug
  • Entwicklung eines induktiv aufladbaren Retrofit Akkusystems für konventionelle Hörgeräte
  • Entwicklung eines Multi-Kanal-Protokolls für die Integration eines Android Systems in ein Elektrofahrzeug
  • Entwicklung und Aufbau einer Leistungsendstufe für einen bidirektionalen Traktions DC/DC Wandler
  • Entwicklung und Aufbau einer Leistungsendstufe mit direkt gekühlten Leistungsschaltern für einen Traktions-Wandler
  • Entwicklung und Inbetriebnahme eines Batterieüberwachungssystems
  • Entwurf und Entwicklung der Betriebssoftware einer Messplatine für verschiedene Mess- und Regelaufgaben im Hybrid-Fahrzeug
  • Entwurf und Implementierung einer Betriebssoftware für TriCore-basierte Steuergeräte im Antriebsstrang
  • Erstellung eines Simulationsmodells für Gleichspannungswandler
  • Evaluierung von Niedertemperatur-Oberflächenpassivierungsverfahren für die Messung von Ladungsträgerlebensdauern von Silicium für die Photovoltaik
  • Experimentelle Untersuchung des Einflusses unterschiedlicher Kristallorientierung und Dotierstoffkonzentrationen dünner Silicium-Scheiben auf das thermische Laserstrahl-Separieren
  • Großflächige Herstellung von Strukturen zur denierten Einkopplung und Auskopplung elektromagnetischer Strahlung
  • Herstellung und Untersuchung einer Tiegelbeschichtung für die gerichtete Erstarrung von Silizium
  • Konzeptionierung und Konstruktion eines Moduls mit Lithium-Ionen Zellen
  • Lasersintern nanopartikulärer ZnO Schichten für den Einsatz als aktive Schicht in Dünnfilmtransistoren
  • Modellierung von Interferenz- und Talbot-Lithographie
  • Modellierung, Simulation und Optimierung des Chemikalienflusses eines Anlagenprototypens zum nasschemischen Ätzen von Kupfer
  • Niedertemperaturkontkat auf n-dotiertem 4H-SiC
  • Signal conditioning electronics for distributed battery monitoring in electric and hybrid vehicles
  • Simulation gekoppelter Gleichspannungsnetze
  • Simulation und Regelung von Drehfeldmaschinen mit sinus- und blockförmiger Bestromung
  • Strukturelle und elektrische Charakterisierung von multikristallinen String Ribbon Silizium für die Photovoltaik
  • Surface Reconstruction from Makyoh Data for the Determination of Nanotopography on Semiconductor Wafers
  • Tiefenaufgelöste Messung von Ausbreitungswiderständen in p-dot. Galliumnitrid zur Kontrolle von Aktivierungsprozessen
  • Topologieuntersuchungen zur energieeffizienten Klimatisierung von Elektrofahrzeugen
  • Untersuchung der Einsatzgrenzen von SiC-Leistungsbauelementen im hartschaltenden Betrieb
  • Untersuchung der Kontaktbildung auf n- bzw. p-dotiertem 4H-SiC
  • Untersuchung und Aufbau von POL (Point Of Load) DC/DC-Wandlern zum Einsatz in der Konsumelektronik.
  • Untersuchung und Optimierung von Prozessen zur Herstellung von Siliciumdioxidschichten an einer Mikrowellen-Plasmaoxidationsanlage
  • Untersuchung von Maßnahmen zur Rissstabilisierung bei Anwendung des Thermischen Laser-Separierens für die Trennung kristalliner Silicium-Scheiben
  • Untersuchungen zu einer störsicheren Schnittstelle für Ansteuerschaltungen
  • Untersuchungen zu gedruckten Temperatursensoren
2011

2010

2009

2002

1999

1997

1996

1995

1994

1993

1992

Publikationen

2013

2012

2011
  • »4H-SiC N-MOSFET Logic Circuits for High Temperature Operation«, Materials Science Forum 679-680, 734-737 (2011)
  • »A highly sensitive evaluation method for the determination of different current conduction mechanisms through dielectric layers«, J. Appl. Phys. 110, 054104 (2011),
    externer Link: OPUShttp://link.aip.org/link/doi/10.1063/1.3631088
  • »A novel PWM control for a bi-directional full-bridge DC-DC converter with smooth conversion mode transitions«, International Journal of Electronics, 1025-1054 (2011)
  • »Amorphous silicon carbide thin films (a-SiC:H) deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition as protective coatings for harsh environment applications«, Thin Solid Films 519, 5892-5898 (2011)
  • »Analysis of the effect of germanium preamorphization on interface defects and leakage current for high-k metal-oxide-semiconductor field-effect transistor«, Journal of Vacuum Science and Technology B 29 29, 01AA05 (2011)
  • »Characterization of thickness variations of thin dielectric layers at the nanoscale using Scanning Capacitance Microscopy«, Journal of Vacuum Science and Technology B 29 29, 01A401 (2011)
  • »Comparative Study on Metallization an Passivation Materials for High Temperature Sensor Applications«, Materials Science Forum 679-680, 449-452 (2011)
  • »Conduction Mechanisms and Environmentel Sensitivity of Solution-Processed Silicon Nanoparticle Layers for Thin-Film Tranistors«, Small 7, 2853-2857 (2011)
  • »Conversion Efficiency of Radiation Damage Profiles into Hydrogen-Related Donor Profiles«, Solid State Phenomena, 375-384 (2011)
  • »Current Voltage Characteristics through Grains and Grain Boundaries of High-k Dielectric Thin Films Measured by Tunneling Atomic Force Microscopy«, (Poster) International Conference on Frontiers of Characterization ans Metrology for Nanoelectronics, Grenoble (2011)
  • »Current Voltage Characteristics through Grains and Grain Boundaries of High-k Dielectric Thin Films Measured by Tunneling Atomic Force Microscopy«, FRONTIERS OF CHARACTERIZATION AND METROLOGY FOR NANOELECTRONICS: 2011, Grenoble (France) 1395, 134 (2011),
    externer Link: OPUShttp://link.aip.org/link/doi/10.1063/1.3657879
  • »Deep Doping Profiles in Silicon Created by MeV Hydrogen Implantation: Influence of Implantation Parameters«, AIP Conf. Proc. 1321, 257-260 (2011)
  • »Dielectric layers suitable for high voltage integrated trench capacitors«, Journal of Vacuum Science and Technology B. Microelectronis and nanometer Strucures 29, 01AB04 (2011),
    externer Link: OPUShttp://publica.fraunhofer.de/documents/N-151331.html
  • »Dopant profiles in silicon created by MeV hydrogen implantation: Influence of annealing parameters«, Phys. Status Solidi 8, 697-700 (2011),
    externer Link: OPUShttp://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssc.201000161/abstract
  • »Effects of Oxygen and Forming Gas Annealing on ZnO TFTs«, MRS Fall Meeting 2010, Boston, 1287 (2011)
  • »Enhancement of Stability of Ti and Ni Ohmic Contacts to 4H-SiC with a Stable Protective Coating for Harsh Environment Applications«, Materials Science Forum Vols 679-680/Journal of Electronic Matrials 40, 449-452 (2011)
  • »EPR investigations of non-oxidized silicon nanoparticles from thermal pyrolysis of silane«, physica status solidi, 7 (2011)
  • »Experiments and simulation of the diffusion and activation of the n-type dopants P, As, and Sb implanted into germanium«, Microelectronic Engineering 88, 458-461 (2011)
  • »Fluorine implantation for effective work function control in p-type metal-oxide-semiconductor high-k metal gate stacks«, Journal of Vacuum Science and Technology B 29, 01A905 (2011)
  • »Germanium substrate loss during thermal processing«, Microelectronic Engineering 88, 499-502 (2011)
  • »Implication of oxygen vacancies on current conduction mechanisms in TiN/Zr1-xAlxO2/TiN metal-insulator-metal structures«, Journal of applied physics 109, 07610 (2011)
  • »Influence of Annealing Parameters on Surface Roughness, Mobility and Contact Resistance of Aluminium Implanted 4H SiC«, Materials Science Forum, 417-420 (2011)
  • »Investigation of the reliability of 4H-SiC MOS devices for high temperature applications«, Microelectronics Reliability 51, 1346-1350 (2011)
  • »Lanthanoid Implantation for Effective Work Function Control in NMOS High-kappa/Metal Gate Stacks«, 18th International Conference on Ion Implantation Technology IIT 2010, - 1321, 237-240 (2011)
  • »Manufactoring, characterization, and application of nanoimprinted metallic probe demonstrators for electrical scanning probe microscopy«, Microelectronic Engineering, 2584-2588 (2011)
  • »Monolithic RC-snubber for power electronic applications«, 2011 IEEE Ninth International Conference on Power Electronics and Drive Systems (PEDS), Singapur, 11-14 (2011),
    externer Link: OPUShttp://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=6147217&isnumber=6146804
  • »Ohmic and rectifying contacts on bulk AlN for radiation detector applications (Poster)«, (Poster) ICNS-9, Glasgow, Glasgow (2011)
  • »Properties of SiO2 and Si3N4 as Gate Dielectrics for Printed ZnO Transistors«, Journal of Vacuum Science & Technology B 29, 01A601 (2011)
  • »Purity of Ion Beams: Analysis and Simulation of Mass Spectra and Mass Interferences in Ion Implantation«, Advanced Materials Science and Engineering, - (2011)
  • »Tuning of Charge Carrier Density of ZnO Nanoparticle Films by Oxygen Plasma Treatment«, Advanced Powder Technology 22, 253-256 (2011)
2010

2009

2008

2007

2006

2005

2004

2003

2002

2001

2000

1999

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