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Prof. Dr.-Ing. Heiner Ryssel

Name:	Prof. Dr.-Ing. Heiner Ryssel ehem. Lehrstuhlinhaber (im Ruhestand)
Postanschrift:	Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente Cauerstr. 6 91058 Erlangen
Telefonnummer:	09131/761-109
Fax:	09131/85-28698
E-Mail:	heiner.ryssel@leb.eei.uni-erlangen.de

Lehrveranstaltungen

• Virtuelle Vorlesung Halbleiterbauelemente (vhb)
• Virtuelle Vorlesung Technologie und Architektur mikroelektronischer Schaltungen (vhb)

Wissenschaftliche Schwerpunkte

• CMOS-Technologie
• Halbleiterfertigungsgeräte
• Ionenimplantation
• elektronische Bauelemente
• Sensorik

Betreute Arbeiten

2012

2011

2010

2009

2008

2007

2006

2005

2004

2003

2002

2001

1999

1998

1997

1996

1995

1994

1993

1991

1990

1988

1987

• Anbau eines Elektronenstrahlverdampfers an eine Hochstromionenimplantationsanlage zum ionenstrahlgestützten Aufdampfen dünner Schichten
• Herstellung und Untersuchung von Dioden mit MoSi2- und TaSi2-Kontakt
• Herstellung von vergrabenen isolierenden Schichten im Silicium durch Ionenimplantation und Untersuchung der kristallographischen Eigenschaften
• Thermische Oxidation und Kurzzeitoxidation von Dünnoxiden nach verschiedenen Reinigungsverfahren der Siliciumscheiben und Untersuchung der Oxidschichten
• Untersuchung der Eigenschaften von APCVD-Siliciumnitrid und seine Anwendung als Passivierungsschicht für hochsperrende Halbleiterleistungsbauelemente
• Untersuchung der Grenzflächeneigenschaften thermischer Siliciumdioxid / Silicium-Strukturen in Abhängigkeit von Temperbehandlungen

Publikationen

2013

2012

2011

2010

2009

2008

2007

2006

2005

• »Additional Peaks in Mass Spectra Due to Charge Exchange Events and Dissociation of Molecular Ions During Extraction«, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 237, 346-350 (2005)
• »Aluminium Nitride Thin Films for a Micromechanical Ultrasonic Liquid Nebulizer«, SENSORS AND MICROSYSTEMS, Singapore (2005)
• »Annealing of Aluminium Implanted 4H-SiC: Comparison of Furnace and Lamp Annealing«, Proceedings of ECSCRM, Materials Science Forum, 483 (2005)
• »Characterisation of the Impurity Profile at the Interface SiO₂/ Si Using a Combination of Total Reflection X-Ray Fluorescence Spectrometry and Successive Etching of Silicon«, 11th Conference on Total Reflection X-Ray Fluorescence Analysis and Related Methods (TXRF 2005), Budapest, Hungary (2005)
• »Characterization of Interface State Densities by Photocurrent Analysis: Comparison of Results for Different Insulator Layers«, Microelectronic Engineering 80, 50-53 (2005)
• »Characterization of Interface State Denisties by Photocurrent Analysis: Comparison of Results for Different Insulator Layers«, Poster Presentation, Conference on Insulating Fillms on Semiconductors (INFOS) 2005, Leuven, Belgium (2005)
• »Chemische Dampfphasenabscheidung von neuen Materialien für Sub-50-nm-Transistoren«, Chemie Ingenieur Technik 77, 1215 (2005)
• »Distribution, Segregation and Dose-Loss of Dopants in Deca Nanometer SOI Structures«, Poster-Präsentation auf dem "Forum on Europe-USA Collaboration in Materials Research" im Rahmen der Frühjahrstagung der "European Materials Research Society" (EMRS), Strasbourg (Frankreich) (2005)
• »Electrical properties of hafnium silicate films obtained form a single-source MOCVD precursor«, Microelectronics Reliability, 819 (2005)
• »High-k Hafnium Silicate Films on Silicon and Germanium Wafers by MOCVD Using a Single-Source Precursor«, 9, 873 (2005)
• »Implantation and Annealing of Aluminium in 4H Silicon Carbide«, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 237, 68-71 (2005)
• »Intelligente Batterien durch integrierte Spannungswandler«, Industriefachmesse IFM, Dresden (2005)
• »Investigations into the Wear of a WL10 Ion Source«, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 237, 341-345 (2005)
• »Ion Sputtering at Grazing Incidence for SIMS-Analysis«, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 228, 373-377 (2005)
• »Mikroelektronik - Schlüsseltechnologie unserer Zeit«, IISBTechniktage für Nichttechniker, Erlangen (2005)
• »Nanoelectronics at the Fraunhofer IISB and the University in Erlangen«, Poster for the "First International Nanotechnology Conference on Communication & Cooperation" (INC 1), San Francisco, CA, USA (2005)
• »Nanotechnology in the Fraunhofer Microelectronics Alliance (VµE)«, Poster for the "First International Nanotechnology Conference on Communication & Cooperation" (INC 1), San Francisco, CA, USA (2005)
• »Neuartige aktive Sicherungsbauelemente auf Silicium-Basis«, IndustrieFachMesse IFM, Augsburg (2005)
• »Thin HfxTiySizO Films with Varying Hf to Ti Contents as Candidates for High-k Dielecrics«, 5/2005, 125 (2005)
• »Triple Trench Gate IGBTs«, Proceedings of the 17th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD) 2005, 251-254 (2005)
• »Triple Trench Gate IGBTs«, 17th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD), Santa Barbara, CA, USA (2005)
• »Unit Process Aspects for APC-software Implementation«, 6th European Advanced Equipment Control/Advanced Process Control (AEC/APC) Conference, Dublin, Ireland (2005)
• »Wafer Scale Characterization of Interface State Densities Without Test Structures by Photocurrent Analysis«, Electrochemical Society Proceedings, 10, 113 (2005)
• »Wafer Scale Characterization of Interface State Densities Without Test Structures by Photocurrent Analysis«, DECON 2005, "Crystalline Defects and Contamination: Their Impact and Control in Device Manufacturing IV", Grenoble, France (2005)

2004

2003

2002

2001

2000

1999

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