Prof. Dr.-Ing. Heiner Ryssel


Name:Prof. Dr.-Ing. Heiner Ryssel
ehem. Lehrstuhlinhaber (im Ruhestand)
Postanschrift:Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente

Cauerstr. 6
91058 Erlangen
Telefonnummer:09131/761-109
Fax:09131/85-28698
E-Mail:heiner.ryssel@leb.eei.uni-erlangen.de

Lehrveranstaltungen

Wissenschaftliche Schwerpunkte

  • CMOS-Technologie
  • Halbleiterfertigungsgeräte
  • Ionenimplantation
  • elektronische Bauelemente
  • Sensorik

Betreute Arbeiten

2012

2011

2010

2009

2008

2007

2006

2005

2004

2003
  • Aufbau und Inbetriebnahme eines Messplatzes zur Charakterisierung von Feldemitter-Strukturen
  • Charakterisierung von Siliciumdioxid-Silicium-Grenzflächen mit Hilfe des ELYMAT-Messverfahrens
  • Entwicklung eines bidirektionalen 15 kW DC/DC-Wandlers
  • Entwicklung eines bidirektionalen isolierenden DC/DC-Wandlers
  • Entwicklung eines Messsystems zur Erfassung von Widerstand, Dicke und Leitungstyp von Siliciumscheiben und Integration in eine Fertigungsumgebung
  • Implementierung eines effizienten Level-Set-Algorithmus zur Simulation von Photolackprofilen für die (optische) Lithographie
  • Monte-Carlo Simulation von Rückstreuung und Sputtering
  • Untersuchung von Masseninterferenzen in der Ionenimplantation
  • Weiterentwicklung der Charakterisierung von Siliciumoxiden mit Hilfe des Elymat-Verfahrens
2002

2001

1999

1998

1997

1996

1995

1994

1993

1991

1990

1988

1987

Publikationen

2013

2012

2011

2010

2009

2008

2007

2006
  • »Active Fuse«, 2006 IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's, Neapel, Italy, 1-4 (2006)
  • »Approach for a Standardized Methodology for Multi-site Processing of 300mm Wafers at R&D-Sites«, International Symposium on Semiconductor Manufacturing, Tokyo, - (2006)
  • »Automobilelektronik am LEB und IISB«, Daimler-Chrysler (2006)
  • »Bavarian Research Cooperation for Nanoeletronics«, 2. FORNEL-Workshop (FORNEL: The Bavarian Research Cooperation for Nanoelectronics), Würzburg (2006)
  • »Creation of E-Learning Content for Microelectronics Manufacturing«, Interactive Computer Aided Learning Conference, Villack, Austria, - (2006)
  • »Creation of E-Learning Content for Microelectronics Manufacturing«, 12th IFAC Symposium on Information Control Problems in Manufacturing, Saint-Etienne, France, - (2006)
  • »Extracting Activation and Compensation Ratio from Aluminium Implanted 4H-SiC by Modeling of Resistivity Measurements«, 527-529, 827-830 (2006)
  • »German High-Tech-Corridor in Nanoelectronics Technology Research«, Posterpresentation at International Nanotechnology Conference on Communications and Cooperations, Arlington (2006)
  • »HfSiO/SiO2- and SiO2/HfSiO/SiO2-Gate Stacks for non-volatile memories«, Workshop on Dielectrics in Microelectronics (WODIM 2006), Santa Tecla (Catania, Italien) (2006)
  • »High Temperature Implantation of Aluminium in 4H Silicon Carbide«, 16th International Conference on Ion Implantation Technology (IIT 2006), Marseille, 287 (2006)
  • »Lösen neue Materialien die Probleme der Mikro- und Nanoelektronik«, VDE Kongress 2006 Aachen, 431 (2006)
  • »Neue Methoden zur automatischen Kalibrierung von Modellparametern für die Simulation optischer Lithographieprozesse«, (2006)
  • »Quantitative Oxide Charge Determination by Photocurrent Analysis«, Workshop on Dielectrics in Microelectronics (WoDiM 2006), Catania, Italien (2006)
  • »The Impact of Mass Resolution on Molybdenum Contamination for B, P, BF2 and As Implantations«, 16th International Conference on Ion Implantation Technology, Marseille ()France, 464 (2006)
  • »Untersuchung von Aufladungseffekten bei der Ionenimplantation«, 2, 130 (2006)
  • »Well Design in a Bulk CMOS Technology with Low Mask Count«, 2006 16th International Conference on Ion Implantation Technology, Marseille, 121-124 (2006)
2005

2004

2003

2002

2001

2000

1999

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