Prof. Dr.-Ing. Heiner Ryssel


Name:Prof. Dr.-Ing. Heiner Ryssel
ehem. Lehrstuhlinhaber (im Ruhestand)
Postanschrift:Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente

Cauerstr. 6
91058 Erlangen
Telefonnummer:09131/761-109
Fax:09131/85-28698
E-Mail:heiner.ryssel@leb.eei.uni-erlangen.de

Lehrveranstaltungen

Wissenschaftliche Schwerpunkte

  • CMOS-Technologie
  • Halbleiterfertigungsgeräte
  • Ionenimplantation
  • elektronische Bauelemente
  • Sensorik

Betreute Arbeiten

2012

2011

2010

2009

2008

2007

2006

2005

2004

2003
  • Aufbau und Inbetriebnahme eines Messplatzes zur Charakterisierung von Feldemitter-Strukturen
  • Charakterisierung von Siliciumdioxid-Silicium-Grenzflächen mit Hilfe des ELYMAT-Messverfahrens
  • Entwicklung eines bidirektionalen 15 kW DC/DC-Wandlers
  • Entwicklung eines bidirektionalen isolierenden DC/DC-Wandlers
  • Entwicklung eines Messsystems zur Erfassung von Widerstand, Dicke und Leitungstyp von Siliciumscheiben und Integration in eine Fertigungsumgebung
  • Implementierung eines effizienten Level-Set-Algorithmus zur Simulation von Photolackprofilen für die (optische) Lithographie
  • Monte-Carlo Simulation von Rückstreuung und Sputtering
  • Untersuchung von Masseninterferenzen in der Ionenimplantation
  • Weiterentwicklung der Charakterisierung von Siliciumoxiden mit Hilfe des Elymat-Verfahrens
2002

2001

1999

1998

1997

1996

1995

1994

1993

1991

1990

1988

1987

Publikationen

2013

2012

2011

2010
  • »Deep doping profiles in silicon created by MeV proton implantation: Influence of implantation parameters«, 18th Intl. Conference on Ion Implantation Technology, Kyoto, Japan (2010)
  • »Defects formed by pulsed laser annealing: electrical properties and depth profiles in n-type silicon measured by DLTS«, EMRS Spring Meeting 2010, Strasbourg (2010)
  • »Dielectic Layers suitable for high voltage integrated trench capacitors«, 16th Workshop on Dielectrics in Microelectronics WoDiM 2010, Bratislava (2010)
  • »Dopant profiles in silicon created by MeV proton implantation: Influence of annealing parameters«, E-MRS 2010 Spring Meeting, Strassbourg, Frankreich (2010)
  • »Effective Work function tuning in high-k dielectric metal-oxide-semiconductor stacks by fluorine and lanthanide doping«, Journal of Applied Physics, 053506 (2010)
  • »Effects of Oxygen and Forming Gas Annealing on ZnO TFTs«, MRS Fall Meeting 2010, Boston, - (2010)
  • »Germanium substrate loss during thermal processing«, EMRSEMRS Spring Meeting 2010, Strasbourg (2010)
  • »Honeycomb Voids due to Ion Implantation in Germanium«, Thin Solid Films 518, 2323-2325 (2010)
  • »Impact of forming gas annealing on ZnO-TFTs«, 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Shanghai, 1548-1550 (2010)
  • »Influence of annealing temperature and measurement ambient on TFTs based on gas phase synthesized ZnO nanoparticles«, Microelectronic Engineering 87, 2312-2316 (2010)
  • »Integrierbare Bauelemente zur Erhöhung der Betriebssicherheit elektronischer Systemkomponenten im Automobil«, AmE 2010 Automotive meets Electronics, Dortmund, 72-77 (2010)
  • »Modeling of the effectiv work funktion instability in metal/high-k dielectric stacks«, Journal of Applied Physics, 124514 (2010)
  • »NMOS Logic Circuits Using 4H-SiC MOSFETs for High Temperature Applications«, 645-648, 1143-1146 (2010)
  • »Polymer bonded soft magnetics for EMI filter applications.«, Automotive meets Electronics, Dortmund, ? (2010)
  • »Polymer bonded soft magnetics for EMI filter applications.«, Automotive meets Electronics, Dortmund, ? (2010)
  • »Properties of SiO2 and Si3N4 as Gate Dielectrica for Printed ZnO Transistors«, 16th Workshop on Dielectric Materials, Bratislava (2010)
  • »The Impact of Helium Co-Implantation on Hydrogen Induced Donor Profiles in Float Zone Silicon«, ECS Trans. 33, 51-62 (2010),
    externer Link: OPUShttp://dx.doi.org/10.1149/1.3485682
  • »The Impact of Helium Co-Implantation on Hydrogen Induced Donor Profiles in FZ Si«, 218th ECS Meeting, Las Vegas, NV, USA (2010),
    externer Link: OPUShttp://link.aip.org/link/?MAECES/1002/1557/1
  • »Tuning of Charge Carrier Density of ZnO Nanoparticle Films by Oxygen Plasma Treatment«, 6th World Congress on Particle Technology, Nürnberg (2010)
  • »Tuning of Charge Carrier Density of ZnO Nanoparticle Films by Oxygen Plasma Treatment«, 6th World Congress on Particle Technology, Nürnberg, - (2010)
2009

2008

2007

2006

2005

2004

2003

2002

2001

2000

1999

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