Prof. Dr.-Ing. Heiner Ryssel
| Name: | Prof. Dr.-Ing. Heiner Ryssel
ehem. Lehrstuhlinhaber (im Ruhestand) |
| Postanschrift: | Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
Cauerstr. 6
91058 Erlangen |
| Telefonnummer: | 09131/761-109 |
| Fax: | 09131/85-28698 |
| E-Mail: | heiner.ryssel@leb.eei.uni-erlangen.de |
Lehrveranstaltungen
Wissenschaftliche Schwerpunkte
- CMOS-Technologie
- Halbleiterfertigungsgeräte
- Ionenimplantation
- elektronische Bauelemente
- Sensorik
Betreute Arbeiten
2012
2011
2010
2009
2008
2007
2006
- Entwicklung eines USB-Interface für den Gate-Treiber in einem automatisierten Kennlinienmeßplatz
- Entwicklung, Simulation und Integration einer I²C/SMBus kompatiblen digitalen Schnittstelle
- Gasphasensynthese nanoskaliger Siliciumpartikel
- Memetische Algorithmen in der globalen restringierten Optimierung von Lithographie-Prozessen - Hybridisierung von Genetischen Algorithmen mit einem analytischen lokalen Optimierer
- Modeling and Simulation of NROM Memory Cells
- Optimierung der Prozesskontrolle für das Dickdrahtbonden
- Optimierung des Quarz-Ätzprozesses zur Herstellung von Prägeformen für die UV-Nanoimprintlithographie
- Prozessentwicklung, Herstellung und Charakterisierung von 3D-Kapazitäten
- Untersuchungen zur Integration eines alternativen Gatestapels in einen CMOS-Prozess
2005
2004
2003
2002
2001
1999
1998
1997
1996
1995
1994
1993
1991
1990
1988
1987
Publikationen
2013
2012
2011
2010
2009
- »Analysis of the DC-arc behavior of a novel 3D-active fuse«, Solid-State-Electronics 53, 809-813 (2009)
- »Effective Work Function Engineering by Lanthanide Ion Implantation of MOS Gate Stacks«, Journal of Vacuum Science and Technology B 27, 290-293 (2009)
- »Honeycomb Voids due to Ion Implantation in Germanium«, European Material Research SocietyE-MRS Spring Meeting 2009, Straßburg (2009)
- »Impact of Physical and Chemical Treatment on Si Nanoparticulate Systems«, Advanced Processing for Novell Functional Materials 2008, Dresden, 60-64 (2009)
- »Lanthanum implantation for threshold voltage control in metal/high-k devices«, Microelectronic Engineering 86, 1782-1785 (2009)
- »Polymer bonded soft magnetics for EMI-filter applications«, International Conference on Automotive Power Electronics (APE), Paris, Frankreich, 1-8 (2009)
- »Silicon Based Trench Hole Power Capacitor«, EPE Journal Vol. 19, 6-10 (2009)
- »Suppression of parasitic electron injection in silicon-oxide-nitride-oxide-silicon-type memory cells using high-k capping layers«, J. Vac. Sci. Technol. B 27, 482-485 (2009)
2008
2007
2006
2005
2004
2003
2002
2001
2000
1999
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