Prof. Dr.-Ing. Heiner Ryssel


Name:Prof. Dr.-Ing. Heiner Ryssel
ehem. Lehrstuhlinhaber (im Ruhestand)
Postanschrift:Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente

Cauerstr. 6
91058 Erlangen
Telefonnummer:09131/761-109
Fax:09131/85-28698
E-Mail:heiner.ryssel@leb.eei.uni-erlangen.de

Lehrveranstaltungen

Wissenschaftliche Schwerpunkte

  • CMOS-Technologie
  • Halbleiterfertigungsgeräte
  • Ionenimplantation
  • elektronische Bauelemente
  • Sensorik

Betreute Arbeiten

2012

2011

2010

2009

2008

2007
  • Auslegung der elektrischen Antriebseinheit für ein Hybridfahrzeug
  • Bestimmung der Leitungsmechanismen in Silicium-Nanopartikel-Netzwerken
  • Entwicklung einer intelligenten Messeinschubkarte für einen modular aufgebauten aktiven Lastwechseltester
  • Entwicklung einer Software für die U/f-Steuerung eines Elektromotors
  • Entwicklung eines piezoelektrischen Transformators zur Versorgung von MOS/IGBT High Side Schaltern
  • Entwicklung von Simulationsmodellen für die Komponenten im Antriebstrang eines Brennstoffzellenfahrzeugs
  • Geschichte der Halbleiterelektronik
  • Hafniumsilikat als Steueroxid in nichtflüchtigen Speicherzellen
  • HF-technische Charakterisierung von SiC-JFETs und deren Untersuchung in einem Gegentaktoszillator
  • Inbetriebnahme eines Prototypgerätes zur Charakterisierung von Isolator/Silicium-Strukturen mittels eines Photostromverfahrens
  • Optimierung, Erweiterung und Test eines Solarzellenmessplatzes
  • Thermische Impedanz von Leistungshalbleiter-Bauelementen
  • Untersuchungen zum Sintern von Ag-Nanopulver als Verbindungstechnik in der Leistungselektronik
  • Untersuchungen zum Umspritzen von elektronischen Komponenten hoher Wärmekapazität mit thermisch leitfähig gefüllten Kunststoffen
  • Untersuchungen zur Herstellung metallischer Gateelektroden mittels MOCVD und deren elektrische Charakterisierung
  • Wickelsysteme - Marktübersicht und Trendanalyse
2006

2005

2004

2003

2002

2001

1999

1998

1997

1996

1995

1994

1993

1991

1990

1988

1987

Publikationen

2013
  • »Comparative study of n-LIGBT and n-LDMOS structures on 4H-SiC«, Materials Science Forum 740-742, 887-890 (2013)
2012

2011

2010

2009

2008

2007

2006

2005

2004

2003

2002

2001

2000

1999

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