Prof. Dr. rer. nat. Lothar Frey
| Name: | Prof. Dr. rer. nat. Lothar Frey
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| Postanschrift: | Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente
Cauerstr. 6
91058 Erlangen |
| Zimmer: | 1.122 |
| Telefonnummer: | 09131/85-28633 |
| Fax: | 09131/85-28698 |
| E-Mail: | lothar.frey@leb.eei.uni-erlangen.de |
| Sprechstunde: | wöchentlich dienstags 9:00 - 10:00
1.122
Bitte bei Sekretariat (1.121) anmelden.
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Lehrveranstaltungen
Betreute Arbeiten
2013
2012
2011
2010
2009
- Alternative Materialien und Prozesse für kostengünstige Elektronik-Anwendungen
- Analyse des Effekts der Eigenerwärmung elektronischer Bauelemente auf deren Zuverlässigkeit an Einsatzorten mit erhöhter Temperaturbelastung
- Einsatz eines GPS Datenloggers zur Aufnahme und Untersuchung von realitätsnahen Fahrzyklen mittels Matlab / Simulink
- Entwicklung einer hochpräzisen Messwerterfassungskarte für einen Lastwechselmessplatz
- Entwicklung eines integrierbaren Strommesssystems zur Anwendung in der Batterie-Systemtechnik
- Entwicklung eines luftgekühlten Leistungsteils für einen bidirektionalen 50 kW DC/DC-Wandler
- Entwicklung eines Spannungswandlers für Zyklentests an Li-Ion-Akkuzellen
- Lademanagement für ein elektrifiziertes Fahrzeug
- Lunkerentstehung und Benetzungsverhalten in bleifreien Lotsystemen für Bare-Die-Leistungsbauelemente
- Optimierung eines optischen Prüfsystems zur Schweißpunktkontrolle an Common-Rail-Injektoren
- Recherchen und Untersuchungen zu Lebensdauermodellen für Pb-Gel Akkus
- Untersuchungen zur Stromerfassung in Hoch-Tiefsetzstellern mittels Spulenwiderstand
2002
1999
1997
1996
1995
1994
1993
1992
Publikationen
2013
- »Alloying of ohmic contacts to n-type 4H-SiC via laser irradiation«, Materials Science Forum 740-742, 773-776 (2013)
- »Bimodal CAFM TDDB distributions in polycrystalline HfO2 gate stacks: The role of the interfacial layer and grain boundaries«, Microelectronic Engineering 109, 129-132 (2013)
- »Characterization of diverse gate oxides on 4H-SiC 3D trench-MOS structures«, Materials Science Forum 740-742, 691-694 (2013)
- »Comparative study of n-LIGBT and n-LDMOS structures on 4H-SiC«, Materials Science Forum 740-742, 887-890 (2013)
- »Conceptional design of nano-particulate ITO inks for inkjet printing of electron devices«, Journal of Materials Science 48, 1623-1631 (2013)
- »Electrical impact of the aluminum p-implant annealing on lateral MOSFET transistors on 4H-SiC n-epi«, Materials Science Forum 2013, 521-524 (2013)
- »Influence of parasitic capacitances on conductive AFM I-V measurements and approaches for its reduction«, Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures 31, art. no. 01A108 (2013)
- »Optimization of copper top-side metallization for high performance SiC-devices«, Materials Science Forum 740-742, 801-804 (2013)
2012
2011
2010
2009
2008
2007
2006
2005
2004
2003
2002
2001
2000
1999
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