Prof. Dr. rer. nat. Lothar Frey


Name:Prof. Dr. rer. nat. Lothar Frey
Postal address:Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente

Cauerstr. 6
91058 Erlangen
Room:1.122
Phone number:09131/85-28633
Fax number:09131/85-28698
E-mail:lothar.frey@leb.eei.uni-erlangen.de
Office hours:weekly on tuesday 9:00 - 10:00

1.122

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Courses / Lectures

Supervised theses

2013

2012
  • Analyse des Oxidationsverhaltens einer Keramik und deren Benetzbarkeit durch Silizium
  • Überwachung von Li-Ionen Akkumulatoren mittels Gassensoren
  • Aufbau und Inbetriebnahme eines Leistungsteils zur Untersuchung der Leistungsskalierbarkeit und des Betriebsverhaltens von Antriebsumrichtern mit verteiltem Zwischenkreiskondensator
  • Aufbau, Inbetriebnahme und Automatisierung eines Messplatzes zur Aufnahme von Impedanzspektroskopie-Kennlinien
  • Bestandsaufnahme und Evaluierung von Einsparungspotentialen am Beispiel eines Institutsgebäudes
  • Can controller implementation on FPGA
  • Dynamisches Abschaltverhalten von schnell schaltenden 600V pin-Dioden
  • Einfluss von Cäsium auf das Metall-Oxid-Halbleiter-System auf 4H-Siliciumcarbid
  • Einfluss von Phosphor- und Stickstoff auf das Metall-Oxid-Halbleiter-System auf 4H-Siliciumcarbid
  • Entwicklung einer schnellen Strommesswerterfassung und modellgestützter Signalaufbereitung in einem FPGA
  • Entwicklung eines Algorithmus für einen Testaufbau zur Fehlererkennung
  • Entwicklung eines DC/DC-Wandlers für ein Brennstoffzellensystem
  • Entwicklung eines effizienten Präprozessors zur Definition der Streckenvorgabe für Verbrauchs- und Fahrdynamiksimulationen
  • Entwicklung eines EMV- Filters zur Anbindung von elektrisch betriebenen Fahrzeugen an das Niederspannungs-Versorgungsnetz
  • Entwicklung eines Fahrzeug-Management-Systems für ein bateriebetriebenes Elektrofahrzeug
  • Entwicklung eines induktiv aufladbaren Retrofit Akkusystems für konventionelle Hörgeräte
  • Entwicklung eines Multi-Kanal-Protokolls für die Integration eines Android Systems in ein Elektrofahrzeug
  • Entwicklung und Aufbau einer Leistungsendstufe für einen bidirektionalen Traktions DC/DC Wandler
  • Entwicklung und Aufbau einer Leistungsendstufe mit direkt gekühlten Leistungsschaltern für einen Traktions-Wandler
  • Entwicklung und Inbetriebnahme eines Batterieüberwachungssystems
  • Entwurf und Entwicklung der Betriebssoftware einer Messplatine für verschiedene Mess- und Regelaufgaben im Hybrid-Fahrzeug
  • Entwurf und Implementierung einer Betriebssoftware für TriCore-basierte Steuergeräte im Antriebsstrang
  • Erstellung eines Simulationsmodells für Gleichspannungswandler
  • Evaluierung von Niedertemperatur-Oberflächenpassivierungsverfahren für die Messung von Ladungsträgerlebensdauern von Silicium für die Photovoltaik
  • Experimentelle Untersuchung des Einflusses unterschiedlicher Kristallorientierung und Dotierstoffkonzentrationen dünner Silicium-Scheiben auf das thermische Laserstrahl-Separieren
  • Großflächige Herstellung von Strukturen zur denierten Einkopplung und Auskopplung elektromagnetischer Strahlung
  • Herstellung und Untersuchung einer Tiegelbeschichtung für die gerichtete Erstarrung von Silizium
  • Konzeptionierung und Konstruktion eines Moduls mit Lithium-Ionen Zellen
  • Lasersintern nanopartikulärer ZnO Schichten für den Einsatz als aktive Schicht in Dünnfilmtransistoren
  • Modellierung von Interferenz- und Talbot-Lithographie
  • Modellierung, Simulation und Optimierung des Chemikalienflusses eines Anlagenprototypens zum nasschemischen Ätzen von Kupfer
  • Niedertemperaturkontkat auf n-dotiertem 4H-SiC
  • Signal conditioning electronics for distributed battery monitoring in electric and hybrid vehicles
  • Simulation gekoppelter Gleichspannungsnetze
  • Simulation und Regelung von Drehfeldmaschinen mit sinus- und blockförmiger Bestromung
  • Strukturelle und elektrische Charakterisierung von multikristallinen String Ribbon Silizium für die Photovoltaik
  • Surface Reconstruction from Makyoh Data for the Determination of Nanotopography on Semiconductor Wafers
  • Tiefenaufgelöste Messung von Ausbreitungswiderständen in p-dot. Galliumnitrid zur Kontrolle von Aktivierungsprozessen
  • Topologieuntersuchungen zur energieeffizienten Klimatisierung von Elektrofahrzeugen
  • Untersuchung der Einsatzgrenzen von SiC-Leistungsbauelementen im hartschaltenden Betrieb
  • Untersuchung der Kontaktbildung auf n- bzw. p-dotiertem 4H-SiC
  • Untersuchung und Aufbau von POL (Point Of Load) DC/DC-Wandlern zum Einsatz in der Konsumelektronik.
  • Untersuchung und Optimierung von Prozessen zur Herstellung von Siliciumdioxidschichten an einer Mikrowellen-Plasmaoxidationsanlage
  • Untersuchung von Maßnahmen zur Rissstabilisierung bei Anwendung des Thermischen Laser-Separierens für die Trennung kristalliner Silicium-Scheiben
  • Untersuchungen zu einer störsicheren Schnittstelle für Ansteuerschaltungen
  • Untersuchungen zu gedruckten Temperatursensoren
2011

2010

2009

2002

1999

1997

1996

1995

1994

1993

1992

Publications

2013

2012

2011

2010

2009

2008

2007

2006

2005

2004

2003
  • »Different Ion Implanted Edge Terminations for Schottky Diodes on SiC«, 14th International Conference on Ion Implantation Technology (IIT2002), Taos (NM), USA, 139-142 (2003)
  • »Electrical Characterization of Zirconium Silicate Films Obtained from Novel MOCVD Precursors«, Microelectronics Reliability 43, 1253-1257 (2003)
  • »Electrical Characterization of Zirconium Silicate Films Obtained from Novel MOCVD Precursors«, WoDiM 2002, Grenoble, France, 53-56 (2003)
  • »ENCOTION A New Simulation Tool for Energetic Contamination Analysis«, IIT2002, Taos (NM),USA, 217-220 (2003)
  • »Influence of Antenna Shape and Resist Patterns on Charging Damage During Ion Implantation«, Ion Implantation Technology, Taos, New Mexico, USA, 291-294 (2003)
  • »Investigation of Implantation-Induced Defects in Thin Gate Oxides Using Low Field Tunnel Currents«, 14th International Conference on Ion Implantation Technology (IIT2002), Taos (NM), USA, 3 (2003)
  • »Investigation of Lanthanum Contamination from a Lanthanated Tungsten Ion Source«, 14th International Conference on Ion Implantation Technology (IIT2002), Taos (NM), USA, 346-349 (2003)
  • »Investigation of Rapid Thermal Annealed p-n Junctions in SiC«, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2003), Lyon (Frankreich) (2003)
  • »Live-Vorführung einer Schaltungsmodifikation",«, Fraunhofer Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISBIISB-Jahrestagung „Ionenstrahlen in der Siliciumtechnologie, Erlangen (2003)
  • »Materialbearbeitung mittels fokussierter Ionenstrahlen zur TEM-Probenpräparation und Nanostrukturierung«, Materialography 40, 4 (2003)
  • »Materials Processing by Focused Ion Beams for TEM Sample Preparation and Nanostructuring«, Materialography 40, 4 (2003)
  • »Modelling of the Influence of the Schottky Barrier Inhomogeneities on SiC Diode Characteristics«, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2003), Lyon (Frankreich), - (2003)
  • »Nanoscale Effects in Focused Ion Beam Processing«, Applied Physics A76, 1017-1023 (2003)
  • »Surface Properties and Electrical Characteristics of Rapid Thermal Annealed 4H-SiC«, Materials Science Forum, 433-436 (2003)
  • »Trench Sidewall Doping for Lateral Power Devices«, ESSDERC 2003, Estoril, Portugal, 397 (2003)
  • »Zirconium silicate films obtained from novel MOCVD precursors«, Journal of Non-Crystalline Solids 322, 147-153 (2003)
2002

2001

2000

1999

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