Dünnschichttechnik
- Oxidation
- Chemische Dampfphasenabscheidung (CVD)
- LPCVD (Poly-Si, Siliciumnitrid, TEOS, BPSG)
- MOCVD (hoch-e-Schichten und Metall-Gateelektroden)
- ALCVD (hoch-e-Schichten und Metall-Gateelektroden)
- PECVD (Siliciumnitrid und -dioxid)
- Physikalische Schichtabscheidung (PVD)
- Kathodenzerstäubung (Sputtern) von Metallen, Isolatoren und amorphem Silicium
- Elektronenstrahlverdampfen von Metallen
- Spin-On-Verfahren
- Metallische und halbleitende Nanopartikeln
- SOG und Polyimide
Oxidation
Feucht- / Trockenoxidation im Horizontalofen
Horizontalöfen zur Herstellung dünner dielektrischer Schichten (Siliciumdioxid) durch feuchte und trockene thermische Oxidation von Silicium
Schnelle Thermische Oxidation im Einzelscheibenreaktor
Lampenbeheizter Einzelscheibenreaktor zur schnellen thermischen Ausheilung von Halbleiterscheiben und zur Herstellung dünner dielektrischer Schichten mittels schneller thermischer Oxidation
Verfahren zur chemischen Dampfphasenabscheidung (CVD)
Chemische Dampfphasenabscheidung bei Niederdruck (LPCVD)
Vertikalofen zur chemischen Dampfphasenabscheidung von Siliciumnitrid und Siliciumdioxid bei Niederdruck
Metallorganische chemische Dampfphasenabscheidung (MOCVD)
Lampenbeheizter Einzelscheibenreaktor zur Herstellung dünner dielektrischer Schichten hoher Dielektrizitätskonstante mittels chemischer Dampfphasenabscheidung aus metallorganischen Ausgangsstoffen (MOCVD)
Lampenbeheizter Horizontalofen (Einzelscheibenreaktor) zur Herstellung dünner leitfähiger und ferroelektrischer Schichten mittels chemischer Dampfphasenabscheidung aus metallorganischen Ausgangsstoffen (MOCVD)
Verfahren zur physikalischen Schichtabscheidung (PVD)
Kathodenzerstäubung von Metallen, Isolatoren und amorphem Silicium
Anlage zur Abscheidung dünner leitfähiger und dielektrischer Schichten mittels Kathodenzerstäubung
Elektronenstrahlverdampfen von Metallen
Anlage zur Abscheidung dünner leitfähiger Metallschichten mittels Elektronenstrahlverdampfung
