Dünnschichttechnik

Oxidation

Feucht- / Trockenoxidation im Horizontalofen

Horizontalöfen zur Herstellung dünner dielektrischer Schichten (Siliciumdioxid) durch feuchte und trockene thermische Oxidation von Silicium


Schnelle Thermische Oxidation im Einzelscheibenreaktor

Lampenbeheizter Einzelscheibenreaktor zur schnellen thermischen Ausheilung von Halbleiterscheiben und zur Herstellung dünner dielektrischer Schichten mittels schneller thermischer Oxidation

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Verfahren zur chemischen Dampfphasenabscheidung (CVD)

Chemische Dampfphasenabscheidung bei Niederdruck (LPCVD)

Vertikalofen zur chemischen Dampfphasenabscheidung von Siliciumnitrid und Siliciumdioxid bei Niederdruck


Metallorganische chemische Dampfphasenabscheidung (MOCVD)

Lampenbeheizter Einzelscheibenreaktor zur Herstellung dünner dielektrischer Schichten hoher Dielektrizitätskonstante mittels chemischer Dampfphasenabscheidung aus metallorganischen Ausgangsstoffen (MOCVD)


Lampenbeheizter Horizontalofen (Einzelscheibenreaktor) zur Herstellung dünner leitfähiger und ferroelektrischer Schichten mittels chemischer Dampfphasenabscheidung aus metallorganischen Ausgangsstoffen (MOCVD)

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Verfahren zur physikalischen Schichtabscheidung (PVD)

Kathodenzerstäubung von Metallen, Isolatoren und amorphem Silicium

Anlage zur Abscheidung dünner leitfähiger und dielektrischer Schichten mittels Kathodenzerstäubung


Elektronenstrahlverdampfen von Metallen


Anlage zur Abscheidung dünner leitfähiger Metallschichten mittels Elektronenstrahlverdampfung

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Letzte Änderung: 08.04.2011 - 13:32 Uhr GMT +1
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